Таблица 1.3

МОСТИ от конструкций схемы тепловые переходные процессы длительностью 1-МКС Тем не менее при быстром прогреве аппаратуры возможны ошибки из-за См, которые существенно больше ожидаемых значений. Продолжительность переходного процесса установления (Уу в этом случае может достигать десятков секунд в зависимости от типа ОУ и схемы его включения в аппаратуру. Основными методами устранения начальной ошибки из-за дрейфа прогрева являются стабилизация температуры соответствующих узлов МЭА н кратковременное отключение ОУ от схемы.

Влияние параметров входного сигнала. На рнс. 1.5 приведены кспериментально полученные, для обоих включений ОУ 140УД7 ависимостн от частоты входного сигнала при различных сред-еквадратичных значениях его амплитуды. Как видно, прн уве-ичении входного сигнала его влиянне иа проявляется прн

1еньших частотах. В инвертирующем включении входной сигнал .казывает значительно меньшее влияние на чем в неинверти-ую1цем.

Эти зависимости объясняются различием скорости нарастания .ля разнополярных входных сигналов и детектирующими свонст-1ами /?-/г-переходов в присутствии паразитных емкостей во вход-

0,5 ~1

=*Hc. 1 5 Зависимости С/см от частот и амплитуды входного сигнала в исип-вергируюшем (а) и HHBeptnpyEomeM (б) включениях ОУ

ЮМ каскаде [131. Действие этих факторов на преобразование переленного напряжения в постоянное наглядно иллюстрируется изме-геннем напряженияСэ на объединенных эмиттерах транзисторов дифференциального каскада. Среди паразитных емкостей входного каскада наибольшее влияние на эффективность преобразования на-тряжений оказывает емкость Cjj, шунтирующая генератор тока в дифференциальном каскаде (рис. 1.6). При большом положительном напряжении на одном из входов каскада и заземленном другом ГОК через транзистор Т1 может превысить свое максимальное значе-1ие /д, определенное генераторотм тока, и достичь величины /п = = /э CdUJdt. При отрицательном напряжении изменение тока 1ерез транзистор Т2 определяется скоростью изменения напряжения и. При этом не превышает /-,. Эта разница максимальных значений токов через транзисторы входгюго каскада является основной причиной изменения напряжения смещения нуля от частоты и амплитуды входного сигнала.

Влияние изменений напряжения питания. Экспериментальные зависимости U от частоты флуктуации напряжения питания при-

ведены на рис. 1.7. Из этих зависимостей вытекает целесообразность шунтирования клемм питания ОУ конденсаторами для уменьшения амплитуды высокочастотных составляющих помех от источников питания.

Анализ показывает, что увеличение С, вследствие изменений параметров входного сигнала н питающих напряжений устранить полностью нельзя, но можно увеличить частоту, на которой начинает проявляться описанный эффект. Для этого в ОУ с внешней коррекцией уменьшают емкость корректирующего конденсатора. Наиболее эффективным средством является применение полосовых фильтров на входе ОУ и в пени питания с целью устранения высокочастотных гармоник, Приведенные на рнс. 1.5 и 1.7 частотные зависимости

>

(/ о

Рис. 16 PcrjjiHpoBiia напряжекнл смещения нуля изменением цоллек-торных токов транзисторов ДК

Рис ] 7. Зависимости напряжения смешения н>ля от частоты и амплитуды пульсации напряжения питания

Приблизительно одинаковы для большинсгвз современных ОУ, приведенных в табл. 1.3,

Увеличение дрейфа вследствие регулировки начального L(.m-Эта регулировка обычно достигается либо подачей дополнительного тока в цепь коллекторов транзисторов входного ДК, либо по входу ОУ

В первом случае (рис. 1.6) дополнительный ток вызывает изменение на величину

\U , = 2I,rJa2l,kT!aqf (1.17)

где Гд - динамическое сопротивление эмиттера транзисторов ДК; а - коэффициент передачи эмиттерного тока; k - постоянная

*Юдним из включений наиболее чувствительных к нестабильности питания Является схема интегратора, точность которого может целиком определяться одной нестабильностью питания ОУ и не реагировать на изменения в цепн регулировки С/см-