Измерение напряжения пробоя. Напряжение пробоя транзистора не является строго определенной величиной, так как оно может изменяться различным образом в зависимости от величины тока в условиях пробоя. Поэтому по тем же причинам, что и в предыдущих случаях, желательно установить уровень тока, при котором производится измерение напряжения пробоя.

Такие измерения легко осуществляются с подющью ОУ. На рис. 8.6 приведены схемы измерения для нескольких случаев Напряжение с выхода ОУ подается на испытуемый прибор и увеличивается

Un ПОн

~15S ОД-/2-Д

Pwc 8 5. Схема для измерения коэф-фиииентор vcилeчця рзнзиегоров п-/?-п- и р-п-jtj-iHiia

0.1т

R и

1,0 Т

\jr\

ю-

а) 1,0

Рис 8 6. Схема для измерения напряжения пробоя переходов 1ранзисторое

а - коллектор - эмиттер, б - коллектор - баэа: в - эмиттер - коЛ лектор, г - исток - затвор

до тех пор, пока не происходит пробой пробора, после чего на вход усилителя поступает ток ОС. Таким способов можно определить любое напряйкине пробоя, подключив соответствующие выводы прибора между входом и выходом ОУ Полярность подключения выводов транзистора должна быть такой, чтобы ток пробоя протекал через вывод, присоединенный ко входу усилителя Погрешности этого метода измерения пренебрежимо малы по сравнению с той точностью измерения, которая обычно требуется.

Измерение токов утечки. Так как токи утечки кремниевых биполярных и полевых транзисторов очень малы, и.х измерение представляет сложную задачу. В иадтоящее время достигнуты значения токов утечки БТ 0,1 иА, а ПТ 0,1 пА. Большинство характериогра-фов или сненнальных установок для испытания транзисторов не годятся длк измерения таких малых токов, но с помощью ОУ их легко измерить (рис. 8.7). В каждой из приведенных схем ток утечки про-

текает по цепи СХ усилителя, при этом на выходе создается напряжение, прямо пропорциональное току утечкн Цепь СХ поддерживает потенциал одного из выводов испытуемого прибора на уровне земли. Напряжение смещения на транзисторе определяется напряжением, которое устанавливается с помощью потенциометра на другом выводе прибора. Основные ограничения точности измерения и диапазон измеряемых токов определяются входным током смещения ОУ, токами утечки и шумами.

Измерение напряжения отсечки пт, Такое измерение производится в условиях поч-

0,81 +90

RZ ZOO,R

-15В о п

R 100,0

Рнс 8 7 Скема для измерения тока утеЬ ки переходов транзисторов

а - коллектор - эмиттеу, б - коллектор - 6ajd, а - эмиттер - коллектор, г - исток - ла-гвор

Рис 8 8 Схема для измерения [fa-пряжения отсечки ПТ с каналами р- и п типа

ти полной отсечки тока. Небольшой остаточный ток чувствителен к нагрузке, представляемой вольтмегром, но южeт быть уменьшен с помощью ОУ, который задает также смещение на транзистор {рис. 8.8).

Если напряжение истока, присоединенного ко входу ОУ, привести к нулю, выходное напряжение будет равно Прн небольшой величине тока истока, которую обес[1ечивает резистор (100 МОм), это напряжение приблизительно равно напряжению отсечки ПТ.

8,3. Специальные схемы на АИС

Устройства для сдвига фазы сиглала [4,51 При фазировании од-нополосных сигналов из сигналов звуковой частоты необходимы два модулирующих сигнала одинаковой амплитуды, но сдвинутые по фазе на 90° в некоторой полосе частот. Одна нз простейших схем этого типа (рнс. 8 9, а) строится на двух ОУ Операторное выражение передаточной функции для каждой из двух иде!1тнчиых частей схемы записывается в следующем виде:

(Р) К(р - ai) {р - a2)/(/7-l-ai) (р -f- а), 20?; -

где К = а!{2а-1 + 2a2+aJ; г МЯлС , VRC; 3 =s

резистивиый делитель, подключенный к неиивертирующим входам, выбран общим для получения одинаковых коэ(ициентов передачи по обоим каналам Сдвиг фаз между ?/вых1 U выхг равный 9(}° с разбросом ±1°. сохраняется в диапазоне частот 250-25С0 Гц \К = 0,49).

or /?1 0,П fZ,lM

нн=>-

5Jh 0,028 П,1н

02 ШО

25,0

25,0/i

OSmZ

1200

Рис. 8.9. Схемы для сдвига фазы входного сигнала на 90° в диапазоне частот 0,25-2,5 кГц (а) и 0.1 - 10 кГц (;?=100 кОм, /?=4,7 кОм) (б)

к/ jun у . .----. . +

0,1 °Свх

R1 ЪВм

R1 18k

0,02 206Гц R

= = 0,005

т75Гц R

R1 Юн

2в050Гц R

R1 Ъвн

R1 20н

R1 15м

1/9,85Гц

0,01 597Гц

ф 0,002

тзгц

Схема на рис. 8,9, б выполняет ту же операцию с точностью dz 2 , но в диапазоне частот от 100 Ги до 10 кгц Для каждого звена RC = 1/2 яД, где Д - частота, на которой фазовый сдвиг данного звена равен 90°. Исключение составляет звено, рассчитанное иа частоту 20,06 кГц, у которого сопротивление R а; /2 уменьшено для компенсации фазового сдвига, вносимого ОУ. Подстройку каждого звена можно проводить, подключая его шход и вход к Л н У входам осциллографа, и регулировкой потенциометра добиться получения фигуры Лиссалу в виде круга. Подключенный по входу делитель позволяет работать от одного источника питания.