Zt-t

Рис. 17.4. Зависимость N {t)/Ni простого слоя во время полного солнечного затмения для различных значений т, когда время полноГ! фазы равно нулю

Моменты второго и третьего коп-тактов совпадают

Для полного затмения отношение минимума электронной концентрации 7V, = iV {z, t) к значению NN {z, t) в момент первого контакта (при условии oLfNoto > 3) равно

N >б o,86f-fy\ (17.10)

а временной сдвиг между максимальной фазой затмения (второй контакт) и моментом (минимум N) равен

0.360

:0,49т.

(17. и)

где - интервал времени между первым и вторым конгактом; т/оо - время релаксации. Характер ожидаемого изменения N/N- во время затмения в Зависимости от т ясен из рис. 17.4, причем обнаруживается весьма характерное свойство кривых затмения. Получается, что отношение электронных концентраций в моменты второго и первого контактов равно

Таким образом, если использовать (17. 10), то

:.0,84,

(17.12)

(17. 13)

т. е. это отношение постоянно и не зависит от At.

Эти соотношения, характеризующ,ие ряд моментов затмения, сами по себе, как мы видим, позволяют проверить, насколько экспериментальные данные удовлетворяют уравнению простого слоя, и онределить коэффициент рекомбинации. Более точный анализ этого вопроса требует, естественно, детального рассмотрения экспериментальных данных на основе соответствую-ших формул для простого слоя, полученных в работе [118] для полных и частных затмений.

3. Некоторые результаты наблюдений

Типичные кривые изменения критических частот, электронной концентрации максимума различных областей ионосферы и электронной концентрации на фиксированных высотах приведены на рис. 17.5-17.8.

5j I

ё 3.0

2.0, W

5 7 08 09 To Tl jz 13 ]U

Время, час

Рис. 17.5. Измсне1шекрр1тических частот/5,/.Fl и во время солнечного затмеим 30 нюня 1954 г, в Канаде

/3 1U 15 16 Времл, час

18 W.

Рис. 17.6,fИзменение электронной концентрации в максимуме областей Е, Fi. I а в слое Е, во время солнечного затмения 30 июня 1954 г. в Норвегии

Рис. 17.5 и 17.6 иллюстрируют вполне четкое проявление эффекта затмения в максимуме всех областей ионосферы в северных широтах. В одном из опытов (рис. 17.6) во время затмения наблюдалось также значительное изменение электронной концентрации слоя £спор- от опыт весьма интересен, так как известно мало случаев появления слоя E, во время затмения.

Аналогичные изменения электронной концентрации почти всегда наблюдаются в областях ETs.Fi. Ход электронной концентрации в области F\ в ряде случаев хорошо удовлетворяет уравнению рекомбинационного типа для простого слоя. Что же касается области F2, то во времязатмения, особенно на средних и южных широтах, его критическая частота довольно

Время , час

Рис. 17.7. Изменение ллектроиной концентрации N на фиксированных высотах (в км) во время солнечного затмелия 25 февраля 1952 г, в Судане

10 9 8

6.5 I

10.00

10.30

IWO время

1Z00

Рис. 17.8. Изменение электронной концентрации N на фнк(;ированных высотах (в км) во время солнечного затмения 20 июня 1955 г. во Вьетнаме