Главная >  Продольные короткозамкнутые термоэлементы 

1 2 3 4 5 6 7 8 [ 9 ] 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126

тельно усложняется. Строгий вывод этих условий может быть дан на основе теоремы единственности решения краевой задачи

= 0,

(11.4)

где оператор


Рис. П.1. Модели нагруженных термоэ.пементов:

/ - термоэлемент Юсти; 2 - .ермопара; 3 - термоэлемент

Нернста -Эттингсгаузена.

ttfe - направляющие косинусы, нормали к поверхности Г, ограничивающей область V, означает дифференцирование по конормали с

направляющими косинусами V/ ~а.-а1тПт, - дважды дифференцируемая функция. Из (1.11) и (II.2) следует, что для осуществления термоэлектрического преобразования необходимо удовлетворить требованию

RiT (г) = JQ.ftzaz

dxkdxn

r=const

(daim\

Jtft=const

[dXkj

(11.5)

rV. 2. 3,

Если компоненты тензора a.t в точке г терпят разрыв с колебанием Да/т. то операторы Ri имеют вид

где - направляющие косинусы нормали к поверхности разрыва щ. Условие (II.5) охватывает все возможные варианты возникновения вихревого термоэлектрического поля. Первое слагаемое в левой часг ти описывает вихревое термоэлектрическое чоле, возникающее в результате анизотропии термоЭДС, второе слагаемое обусловлено неоднородностью коэффициента Зеебека, третье - анизотропией коэффициента Томсонь, т. е. различием температурной зависимости термоЭДС в разных кристаллографических направлениях.

Таким образом, необходимое требование к среде для возникновения вихревого термоэлектрического тока и осуществления термоэлектрического преобразования энергии состоит в том, чтобы термоэлектрическая среда обладала либо неоднородностью, либо анизотропией коэффициента термоЭДС. Из условия (II.5) следует также, что любые распределения температур в среде можно разделить на два класса: активные температурные поля, описываемые функциями Та (г) и удовлетворяющие условию (II.5), и пассивные, для которых соответствующие функции Тр{г) являются решениями системы уравнений

= 0.


vr=o

rotjtO

Рис. II.2. Обобщенная модель нагруженного термоэлемента.

(II.6)

Из условия (II.5) можно сделать следующие выводы: 1. В однородной изотропной среде любое распределение температуры является пассивным, вихревые термоэлектрические токи не возникают и термоэлектрическое преобразование энергии невозможно. Однако наложением внешних воздействий (деформирующее усилие, магнитное поле-, звуковой поток) такую среду можно перевести в состояние с анизотропной или неоднородной термоЭДС, что может привести к возникновению вихревого термоэлектрического тока.

Вихревые термоэлектрические токи в деформированных кристаллах были обнаружены экспериментально [5], где этот эффект был использован для исследования пьезотермоЭДС n-Ge. В работах [18,21] описан деформационный термомагнитный эффект, обусловленный вихревыми термоэлектрическими токами.

в работе [17] указано на возможность существования вихревого термоэлектрического тока в однородной изотропной среде, помещенной в магнитное поле. Активными в этом случае являются такие распределения температур, при которых градиент температуры не совпадает по направлению с вектором напряженности магнитного поля, в той же работе показано, что к аналогичным качественным результатам приводит замена магнитного поля наложением потока




звуковых волн (вихревые термоэлектрические токи в акустоэлектри-ческсм эффекте).

Существует еще одна возможность возникновения вихревых термоэлектрических токов в однородной изотропной среде - за счет неоднородности по термоЭДС, создаваемой большими градиентами температуры [11].

2. В однородной среде с анизотропной термоЭДС активные тепловые поля характеризуются градиентом температуры, не совпадающим по направлению с главными кристаллографическими осями. В такой среде, находящейся при неизотермических условиях, появляется вихревая составляющая термоэлектрического поля, которая не может быть скомпенсирована электрическим полем и вызывает протекание вихревого термоэлектрического тока.

Расчет стационарных вихревых термоэлектрических токов в анизотропной среде весьма сложен даже в том случае, когда среда однородна, а ее параметры не зависят от температуры. Вычисления приводят к системе связанных эллиптических уравнений для потенциала и температуры с соответствующими граничными условиями. Однако, как показано в [34], для известных в настоящее время кристаллов, обладающих анизотропией термоЭДС, распределение температур достаточно точно определяется одной теплопроводностью, а влияние эффектов Джоуля, Бриджмена и Томсона, возникающих при протекании вихревых термоэлектрических токов, незначительно. В этом случае распределение температур определяется из граничной задачи для уравнения теплопроводности, не имеющего членов, содержащих плотность тока.

Поскольку в стационарных условиях векторное поле вихревого термоэлектрического тока не имеет источников, для его определения можно ввести векторный потенциал [34]

j* = rotH*, (II.7)

который при калибровке

div Н* = 0

приобретает смысл напряженности магнитного поля вихревого терме электрического тока. В том случае, когда распределение температур

двумерное

в однородной среде вектор Н* содержит лишь

-одну z-компоненту, значение которой определяет интегральное значение вихревого термоэлектрического тока, протекающего между границей области и точкой х, у. Линии Н*(х, {/)t= const являются линиями тока. Расчет вихревого термоэлектрического тока в этом случае сводится к решению уравнения Пуассона для функции Н* с нулевыми граничными условиями.

Плотность вихревых термоэлектрических токов в однородной анизотропной среде может достигать больших значений - до 2,4 А/см - при градиенте температур 50 К/см для такого материала с относительно небольшой анизотропией термоЭДС, как Bi. Указанное значение плотности вихревого термоэлектрического тока дает оценка, проведенная на основе расчетов вихревых термоэлектрических токов [25, 34] в пластине, имеющей фор.уу круговой шайбы, внешняя и внутренняя окружности которой поддерживаются при разных температурах: Г, (рис. IL3). В каждом квадранте пластины возникает система вихревых тер.уоэлектрических токов, цирку-

лирующнх вокруг нулевой точки, расположенной на биссектрисе координатного угла. При внешнем радиусе пластины, стремящемся к бесконечности, и внутреннем, стремящемся к нулю, решение такой задачи позволяет найти значение и конфигурацию вихревых термоэлектрических токов для температурных полей, содержащих точечные источники и стоки тепла. Распределения вихревого теркоэлек-трического тока для одного из этих случаев представлены на рис. II.4. Магнитный момент вихревого термоэлектрического тока по порядку величины близок к диамагнитному моменту вещества в полях средней напряженности

Т=Т,


Рис. П.З. Вихревой ток в квадранте монокристаллической шайбы с анизотропной термоЭДС.

Рис. П.4. Распределение вихревого тока в неограниченной анизотропной пластине с источником тепла в точке х, у=0 (приведены значения токовой функции Н*) [34].

3. В изотропных неоднородных средах вихревые термоэлектрические токи возникают в то?л случае, когда градиент температуры не совпадает с направлением изменения коэффициента термоЭДС или - в случае зонально-неоднородной двухслойной среды - с направлением нормали к поверхности, на которой коэффициент термоЭДС терпит разрыв.

Примером вихревого термоэлектрического тока в зонально-неоднородной среде может служить рассмотренное в работе [32] возникновение тока иа плоской поверхности контакта двух однородных материалов. Неизотергличность контакта приводит к замкнутым термоэлектрическим токам, пересекающим поверхность раздела материалов. При постоянном градиенте температуры sjT в неограниченной двух-слойгой полосе вихревой термоэлектрический ток не пересекает контакт и замыкается на бесконечности, протекая внутри слоев в противоположных направлениях (рис. П.5). Плотность тока в такой системе для случая sjT const определяется соотношениями уГ(ал- л) . уТ{а-а)

где индексы А vi В относятся к материалам слоев А v\ В; р v\ I - соответственно удельное сопротивление и толщина слоя.




Напряжения, возникающие на поверхности такой полосы между

Tt и Га,

точками, находящимися на изотермах

paib + pbia рва

(11.9)

9Aв + PвA



/1 в

Рис. II.5. Распределение вихревого термоэлектрического тока в биметаллических лентах:

- = const, dx

g = 0(a);gconst.

О (6)132].

Отношения этих выражений

fAPAh lB РВА

зависят только от толщины слоев и удельных сопротивлений материалов. Таким образом, измерение напряжений, вызванных вихревыми термоэлектрическими токами, позволяет определить толщину слоев и удельное сопротивление в биметаллических лентах и пластинах, а также в термопарах с гальваническими покрытиями [32]. Искажения термоЭДС вихревыми токами в полупроводниковых пленках исследованы в работах [26, 27].

Протекание вихревого термоэлектрического тока в неоднородной среде приводит к возникновению поперечной по отношению к градиенту температуры разности потенциалов, значение которой между точками 1 к 2, расположенными на одной изотерме Lj, определяется тангенциальной составляющей вектора плотности вихревого термоэлектрического тока jt вдоль линии L-:

(11.10)



(гйх) г

(г-П-хуЧт,

U/i-x)70

(гЛх) с

(г/5х)¥.п

(гй 1-)¥.ю

01 О. о

Izfixi

(г/гл-)о

(гйдг)ю

к а:

а.

а. а:

<

<

<

<

<

<

<

If!-

cf\o в С >.tt

t III

Ч n, b-

o И 5 о и S в о ч

s I = g I a

n

sa,r

£ a g g



1 2 3 4 5 6 7 8 [ 9 ] 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126