Компенсация погрешностей подмагничиванием от вспомогательного ТТ состоящего из магнитопровода 6 с наложенной на него обмоткой 5 (рис. 2-6, б). При этом питание вспомогательных обмоток 3, расположенных на магнитопроБодах / и 2, осуществляется от обмотки 5 вспомогательного ТТ. Вспомогательные обмотки 3 имеют одинаковое число витков и соединены встречно. Магнитопроводы 1, 2 я 6 с наложенными на них обмотками соединены вместе, представляя собой один элемент. Поперечное сечение магнитопровода 6 выбирается таким, чтобы он всегда находился в состоянии, близком к насыщению. Это обеспечивает примерно одно и то же подмагничивание при изменениях первичного тока. Компенсация погрешностей подмагничиванием от вспомогательного ТТ происходит точно так же, как рассмотренная выше компенсация подмагничиванием от постороннего источника.

Подмагничивание от вспомогательного ТТ обеспечивает уменьшение погрешностей во всем диапазоне токов нормального режима, однако усложняет конструкцию всего ТТ и увеличивает его габариты. К тому же при этом способе компенсации погрешностей нельзя достигнуть такого постоянства параметров ТТ, как при подмагничивании от постороннего источника. Но последний значительно дороже. Компенсация погрешностей подмагничиванием от вспомогательного ТТ может осуществляться и на токах тройной частоты.

Компенсация погрешностей подмагничиванием от посюрон-него источника энергии или от вспомогательного ТТ обеспечивает улучшение кривой погрешности на всем ее протяжении.

Компенсация погрешностей противона-магничиванием (рис. 2-6, е) отличается от рассмотренных выше двух способов компенсации погрешностей только тем, что здесь вторичная обмотка 7 является как основной обмоткой, так и подмагничивающей. Основная часть вторичной обмотки охватывает оба магнитопровода 1 я 2. Кроме того, на магнитопровод 2 наложена дополнительная обмотка S, соединенная последовательно и согласно с основной обмоткой. Число витков вторичной обмотки несколько меньше номинального. Следовательно, на магнитопроводе / число витков будет меньше номинального, а на магнитопроводе 2 (с учетом дополнительной обмотки) - больше номинального. На магнитопроводе / м. д. с. намагничивания увеличится вследствие меньшего числа вторичных витков. Здесь будет преобладать первичная м. д. с. На магнитопроводе 2 м. д. с. намагничивания увеличится за счет дополнительной обмотки. Здесь будет преобладать вторичная м. д. с.

К преимуществам компенсации погрешности противонамагни-чиванием следует отнести простоту и дешевизну. Однако эффективность ее несколько меньше, чем эффективность компенсации погрешности от постороннего источника энергии.

Рис. 2-7. Схема компенсации погрешностей ТТ, предложенная МЭИ

Компенсация погрешностей подмагничиванием полями рассеяния (компенсация МЭИ) IJ 4, 64]. Вторичная обмотка разделена на две части У и 3 (рис. 2-7). Части вторичной обмотки / и 3 имеют соответственно число витков wz и Ш2 и соединены последовательно и согласно. Первичная обмотка 4 располагается на правом стержне магнитопровода. Внутри магнитопровода находится магнитный шунт 2, по которому замыкаются потоки рессеяния. Воздушный зазор между стержнями магнитопровода и магнитным шунтом может изменяться. Это позволяет изменять в определенных пределах поток рассеяния.

Вторичная обмотка разделена на две части для увеличения потоков рассеяния. Магнитный шунт 2 тоже способствует этому.

При токе /а на левом стержне магнитопровода создается м. д. с. /2Ш2, а на правом стержне - м. д; с. 1\ wi - hw 2. Последняя представляет собой избыток первичной м. д. с. Под действием м. д. с. IiWi - hwl и hw2 соответственно возникают магнитные потоки рассеяния и Фг, которые проходят через шунт 2, образуя общий поток рассеяния Ф- Выбрав соответствующим образом магнитное сопротивление шунта, можно даже при малых первичных токах обеспечить незначительное магнитное сопротивление магнитопровода. Вследствие этого м. д. с, необходимая для проведения намагничивающего потока Фо, значительно уменьшается. Это приводит й уменьшению и токовой, и угловой погрешностей ТТ. Так, например, при токах 10-20 % номинального наибольшую магнитную проницаемость будет иметь участок

магнитопровода, по которому замыкается поток рассеяния- Фs Часть вторичной обмотки /, расположенная на левом стержне магнитопровода, будет сцепляться только с какой-то частью потока Фо. Это равносильно отмотке части ее витков и уменьшению погрешностей. При первичных токах, близких к номинальным и превышающих номинальные, происходит насыщение шунта и компенсация перестает действовать. В. этом случае почти весь магнитный потокФо проходит по всему магнитопроводу, сцепляясь с обеими частями вторичной обмотки / и 3, что равносильно увеличению числа витков этой обмотки. Поэтому погрешности увеличатся.

Таким образом, при малых первичных токах погрешности уменьшаются, а при токах, близких к номинальным, - уве-

личиваются. Следовательно, кривая погрешностей спрямляется.

t :. Уменьшение погрешностей рассматриваемым способом дости-} гается не только путем повышения магнитной проницаемости магнитопровода, но и за счет уменьшения индуктивного сопротивления вторичной обмотки Б результате так называемого двойного магнитного рассеяния. Под двойным магнитным рассеянием понимается такое рассеяние, при котором поток рассеяния одной рОбмотки сцепляется также и с другой обмоткой. Поток рассеяния Ф12 сцепляется только со вторичной обмоткой, а поток Ojj сцепляется в основном с первичной обмоткой и частично со вторичной. Потоки и Фза пересекают проводники обмоток в противоположных направлениях, индуцируя в них э. д. с. самоиндукции, отстающие от возбуждающих их потоков на 90°. В первичной, и вторичной обмотках поток Фц индуцирует соответственно э. д. с. Esi и Esi, отстающие от него на 90°. Во вторичной обмотке поток CDsia индуцирует э. д. с. Eg, отстающую от него на 90°. Так как потоки Фц и Фа имеют противоположные направления,

то и индуцируемые ими э. д. с. Esi и Es2 направлены навстречу друг другу.

Результирующая э. д. с. рассеяния во вторичной обмотке равна разности модулей EU и Es2 и определяется потоком Фви-Увеличивая долю потока Фви, сцепляющегося со вторичной обмоткой, можно добиться полной компенсации ее индуктивного сопротивления.

К.омпенсация погрешностей созданием нулевого потока [14]. При этом способе компенсации магнитопровод ТТ составляется из двух одинаковых магнитопроводов / и 2 (рис. 2-8). На магнитопровод / намотана часть вторичной обмотки из витков. Другая часть вторичной обмотки, состоящая из витков, намотана на магнитопровод 2. На магнитопровод 2 намотано еще 4 витков компенсационной обмотки. Компенсационная обмотка выполнена из того же провода, что и вторичная. Числа витков вторичной и компенсационной обмоток выбраны такими, что 0,5и;2 ~ Ws = w. Следовательно, Ша == Юз -f w. Сопротивление вторичной обмотки с Юг витками равно 2г2обм, а сопротивление каждой из обмоток и равно госи-

Вторичная обмотка с числом витков ьУа + к)з замыкается на вторичную нагрузку Хан, а компенсационная обмотка - на регулируемое сопротивление 2з. Во вторичной цепи протекает ток /а, а в компенсационной цепи - ток /д.

Рис. 2-8. Схема компенсации погрешностей ТТ методом нулевого потока

i 55