идеальной кривой намагничивания /. Поэтому полуволны переменного тока будут иметь не прямоугольную форму, а форму, приближающуюся к трапеции (кривая 4).

Магнитное состояние реального магнитопровода характеризуется следующими гистерезисными циклами: а) симметричным при наличии только переменного тока (/i = 0); б) частным несимметричным при одновременном намагничивании магнитопроводов постоянным и переменным магнитным полем.

Изменение переменной индукции и частные гистерезисные циклы обоих магнитопроводов при двойном намагничивании изображены на рис. 5-6. Магнитное состояние магнитопровода Ml изменяется по циклу ААоАуААзАоА, а магнитопровода М2 - по циклу Л2Л0Л1ЛЛ3Л6Л2. Вследствие встречного включения вторичных обмоток изменение магнитного состояния обоих магнитопроводов в течение одного и того же полупериода переменного напряжения происходит на разных участках циклов. Изменению магнитного состояния обоих магнитопроводов для одних и тех же моментов времени соответствуют участки циклов и кривых индукций Bi (для магнитопровода Ml) и (для магнитопровода М2), обозначенные одинаковыми линиями: сплощ-ными для одного полупериода переменного напряжения и штриховыми для другого полупериода.

МагнитопроЁод М1

Рис. 5-6. Частные гистерезисные петли и вторичный ток реального ТПТ

Суммарный поток в магнитопроводе Ml за промежуток времени от 4 до 4. когда переменная и постоянная составляющие магнитного потока имеют одинаковое направление, практически остается неизменным. Изменение магнитного состояния этого магнитопровода за один полупериод характеризуется участком цикла ЛоЛгЛо- В магнитопроводе Ml в этот же полупериод направление переменной и постоянной составляющих магнитного потока противоположное и, следовательно, изменение суммарного магнитного потока в этом магнитопроводе характеризуется участком частного цикла ЛоЛЛаЛдЛо.

Для того чтобы магнитное состояние магнитопровода Ml, характеризуемое в момент времени 4 точкой Ад, изменилось и точка Ло перешла в точку частного цикла А, а затем в А, As и т. д., м. д. с. постоянного тока iioyi, намагничивающая магнитопровод до точки Ло, должна уменьшиться практически до нуля. Уменьшение этой м. д. с. произойдет при возникновении в цепи вторичных обмоток переменного тока i- Этот ток определяется переменным напряжением а и зависит от динамической проницаемости материала магнитопровода в соответствующих точках частного цикла перемагничивания.

М. д. с. taa стремится скомпенсировать м. д. с. tli. Однако вследствие потерь полная компенсация для магнитопровода Ml наступает лишь дважды за полупериод вторичного тока, а именно в моменты времени 4 и 4- Для этих моментов ijWi - iga = 0. В остальные моменты времени в продолжение рассматриваемого промежутка в магнитопроводе Ml действует разность м. д. с. ijWi - iaa = Fq. Под действием этой м. д. с. Fq в магнитопроводе Ml возникает изменяющаяся магнитная индукция Bi.

В магнитопроводе М2 в это время действует сумма м. д. с. iiWi -f- 122 = Fo, которая поддерживает индукцию Б2 в этом магнитопроводе практически постоянной.

В реальном магнитопроводе, как и в идеальном, синусоидальное переменное напряжение а в одни и те же промежутки времени неодинаково распределяется между обеими вторичными обмотками, поскольку их индуктивные сопротивления различны. Индуктивное сопротивление вторичной обмотки, наложенной на магнитопровод М2, очень мал<ц так как в этом магнитопроводе в рассматриваемый отрезок времени изменение суммарной индукции незначительно. Индуктивное сопротивление вторичной обмотки, наложенной на магнитопровод Ml, в это же время велико. Поэтому практически все напряжение и. оказывается приложенным ко вторичной обмотке, находящейся на первом магнитопроводе.

В следующий полупериод переменного напряжения (от 4 до /7) магнитопроводы меняются ролями. Теперь индукция в магнитопроводе Ml изменяется на участке частного цикла ЛоЛИо, а в магнитопроводе М2 - на участке цикла ЛоЛ1ЛЛзЛ6. Все переменное напряжение в этот полупериод приложено практи-

РйС. Переменная индукция и частный гйстерезисный цикл одного магнитопровода

чески ко вторичной обмотке магнитопровода М2. Форму и значение переменного тока, который теперь изменит свой знак на обратный; в этот полупериод

/определяет магнитопровод М2 и т. д. В продолжение обоих по-

; лупериодов переменный ток точно следует за изменением индукции в магнитопроводе и его мгновенные значения, по существу, обусловливаются формой частного гистерезисного цикла.

Влияние различных участков частного гистерезисного цикла на форму вторичного тока ТПТ приведено на рис. 5-7. Для большей наглядности коэрцитивная сила (ширина цикла) увеличена. Из сопоставления соответствующих участков частного цикла

на рис. 5-7 и кривой вторичной м. д. с. F2 = Isj (или кривой вторичного тока), представленной на рис. 5-8, видно, что отклонение горизонтальной части частного цикла изменяет наклон вертикального участка в кривой вторичного тока (участки AqAA и AiAAs на рис. 5-8), которая из-за этого имеет форму, близкую к трапеции. Наклон вертикальных участков частного цикла (участки и на рис. 5-7), а также потери в магнито-

проводе (ширина цикла) искажают форму вторичного тока на

(участке AAjAAsAiAA (рис. 5-8).

I. Если бы кривая намагничивания магнитопроводов была иде-/ ально прямоугольной и потери на перемагничивание равнялись нулю., то частный цикл работающего ТТ очень близко совпал бы > по форме с идеальной кривой намагничивания. В этом случае вторичный ток ТТ точно следовал бы закону = i-iwjw и в про-

\ Рис. 5-8. Магнитодвижущая сила обмотки переменного тока ТПТ, построенная ; графически по частному циклу рис. 5-7