6АЗП

Гептод лучевой с двойным управлением ля работы в амплитудных ограничителях, детекторах частотно- и фазомо-д Лпрозанных колебаний и в схемах совпадений

Оформление - в стеклянной оболочке, миниатюрное (рнс. 6П). Масса 17 г.

Основные параметры

прн Уа = 6,3 В, Уа = 75 В, t/jcb=t/c2 = 75 В, Ус1 = Усз = 4 В

Хок накала............... (295±25) мА

Ток анода............... 5>41},65

Ток ускорителя............. 8 мА

Ток 1-й сеткн (прн £/с1 = Усз=10 В)..... 650-1000 мкА

Ток 3-й сеткн (прп Ус1 = Уоз=10 В)..... 400-750 мкА

Обратный ток 1-й сеткн (при 6ci = -10 В) . . . 0,25 мкА

Ток утечки между катодом н подогревателем . . -ЗО мкА Напряжение 1-й сетки отрицательное, соответст-

вующее половине тока анода....... l,75lt[J75B

Напряжение 3-й сетки отрицательное, соответствующее половине тока аиода ... ... (0,85±0,75)В

Напряжение отсечки тока анода (отрицательное) при токе анода 100 мкА:

по 1-й сетке..... ...... (2,75±0,75)В

по 3-й сетке............ (3±0,75) В

Крутизна характеристики (средняя) *

по 1-й сетке ... ......

по 1-й сетке (при Ub = o,7 В)

>1,2мА/В мА/В

по 3-й сетке............. >0,95 мА/В

Напряжение виброшумов (при /?а=2 кОм) . . . <100мВ МежэлекгроД!!Ые емкости:

входная по 1-й сетке.......... 3,6-5,6 пФ

входная по 3-й сетке.......... 1>3-2 пФ

выходная по 1-й сетке.......... 3,4-4,8 пФ

выходная по 3-й сетке......... 1,8-2,8 пФ

между анодом и 1-й сеткой....... 0,007 пФ

между анодом и 3-й сеткой....... <2 пФ

между 1-й и 3-й сетками........ <0,007 пФ

Наработка............... >1000 ч

Критерии оценки:

изменение тока анода......... п °

обратный ток 1-й сетки......... <0,5 мкА

0,8/

* Определяется по формуле 5=- -

Женни 1-й и 3-й сеток, равном 4 В; u - напряжение 1-й (или 3-й) сеткн, при

Котором Ток анода ровен 0,9/д; Котором ток анода равен 0,1/

(.- напряжение 1-й (или 3-й) сетки, при

О 20 40 SO 80 100 120В Анодные

характеристики сз-В.

6ДЗП

Un=S,38

0 20 40 SO 80 100 1208

Анодные характеристики прн U-4B.

-4 -2 0 2 4 6 8 8

-4 -2

Анодио-сеточиые характеристики по 3-й сетке.

Аиодио-сеточиые характеристики по 1-й сетке.

Напряжение накала .............. 5,7-7 В

Напряжение анода.............. 150 В

Напряжение ускорителя............ 100 В

Напряжение между катодом и подогревателем .... 100 В

Ток катода................. 20 мА

Мощность, рассеиваемая анодом......... 1,2 Вт

Мощность, рассеиваемая ускорителем....... 1,5 Вт

Интервал рабочпх температур окружающей среды . . От-60

-9 2

Основные параметры

при Ua = 6.3 В, 6а=200 В, Lc2=6c4=100 В, t/cs

Ток накала...............

Ток анода в нмпульсе...........

Ток 2-й сетки в нмпульсе..........

Ток 4-й сетки в импульсе..........

Обратный ток 1-й сетки (при Uqi - -2 В) . . . Напряжение отсечки тока анода (отрицательное) при токе анода 0,5 мА:

по 1-й сетке............ .

по 3-й сетке.......... . .

Крутизна характеристики:

по 1-й сетке прн t/ci=-11 В......

по 3-й сетке при 6/03=-3 В ...... .

Межэлектродиые емкости;

входная по 1-й сетке...... > . .

входная по 3-й сетке..........

выходная (для каждого аиода) . . . . .

анод - 1 -я сетка...........

анод -3-я сетка........ . .

между анодами ...........

1-я -3-я сетка............

катод - подогреватель , . ...,. <

Наработка ......... ......

Критерии оценки:

обратный ток 1-й сеткн........

изменение тока анода в импульсе.....

= 0, t/ci = -10

(440±30) мА >34 мА <:26 мА <32 мА <:0,5 мкА

5,5 В <15 В

>16 мА/В >5,5 мА/В

(10,5±1,5) пФ (11,5±1,5) пФ (2,8±0,6) нФ <0,03 пф <0,35 пф <0,26 пФ <0,25 пФ 6±2 пФ >500ч

<1 мкА От-30 до+35%

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение накала.............

Напряжение анода.............

Напряжение 2-й н 4-й сеток..........

Напряжение между катодом и подогревателем . .

Ток катода ................

Мощность, рассеиваемая анодом........

Мощность, рассеиваемая 2-й сеткой.......

Мощность, рассеиваемая 4-й сеткой.......

Сопротивление в цепи 1-й сеткн ........

Интервал рабочих температур окружающей среды .

5,7-7 В 250 В 150 В 100 В 20 мА 2 Вт 0,5 Вт 1,5 Вт О, ) МОм От-60 до+70 С

Гептод для преобразования частоты в импульсных схемах радиоэлектронных устройств, cq. IZ-

Оформление - в стеклянной оболочке, ми- ниатюрное (рис. 11П). Масса 15 г, Ь