Главная
>
Сводная таблица ламп 60 40 20
0 40 so 120 160 200 240 В Анодные характеристики при
в -6 -5 -Ч- -2 -1 40 20
0 40 80 120 160 2008 Анодные характеристики при ci-O мА SO
50 W 30 ZO 10 Анодно-сеточная характеристика по 1-й сетке. В -го -16 -1Z -В -4 О Анодно-сеточная характеристика по 3-й сетке. 6А11Г-В Гептод для преобразования частоты. Оформление - в стеклянной оболочке, сверхминиатюрное (рис. 16Б). Масса 8 г. Основные параметры при t/ = 6,3 В, t/a=100 в, 6c2=t/c4=100 в, г/с1=-2 в, (/сзпрр=8,5 В Ток иакала . ............ (250±25) мА Ток анода (при /?сз = 47 кОм)......... (3±1,5) мА Ток 2-й и 4-й сеток (при /?сз=47 кОм)..... <15 мА Обратный ток 1-й сетки........... <! мкА Крутизна преобразования (при Lcinep = 0,7 В) . . 0,6-1 мА/В То же в начале характеристики (при f/ci = -12 В) . >10мкА/В Предельные эксплуатацнонные даниые Напряжение накала............. 5,7-6,9 В Напряжение анода............. 150 В То же прн запертой лампе.......... 200 В Напряжение 2-й и 4-й сеток.......... 100 В То же прн запертой лампе.......... 200 В Напряжение 1-й сетки (отрицательное) ..... 30 В Напряжение между катодом и подогревателем . , ЮО В Ток катода................ 30 мА Мощность, рассеиваемая анодом......, . 1,5 Вт Мощность, рассеиваемая 2-й и 4-й сетками .... 1,5 Вт Сопротивление в цепи 1-й сетки........ 1 МОм Температура баллона .шмпы......... 1700 Устойчивость к внешинм воздействиям: ускорение при вибрации в диапазоне частот 10-2000 Гц.............. 10 g ускорение при многократных ударах..... 150 g ускорение при одиночнбтх ударах...... 500 g ускорение постоянное........... ЮО g интервал рабочих температур окружающей среды От-60 до -t-200°C Напрялгение пиброшумов (при ;?а = 2 кОм) . , . -. 150 мВ Межэлектродные емкости: входная по 1-й сетке........., , 6,5 пФ входная по 3-й сетке........... 7 пФ выходная............... 5 пФ анод-1-я сетка............ <0,03 пФ анод -3-я сетка............ <0,04 пФ 1-я -3-я сетка.....,....... <0,04пФ катод-подотреватель........., <7 пФ Наработка................ >500 ч Критерии оцеики: крутизна преобразования......... >0,5мА/В обратный ток 1-й сетки.......- , . . 1,5 мкА изменение крутизны преобразования..... ±35% IB 12 8 Ч
0 ZO 60 100 110. 1808 & -25 -ZO -15 -10 -5 0 Анодные характеристики. Анодно-сеточные характеристики. 4.8. ГЕПТАГРИДЫ ( 3 6Л1П Гептагрид высокочастотный с разрывно-гистерезисной характеристикой для работы в качестве нелинейного элемента в быстродействующих амплитудных дискриминаторах, бинарных запоминающих и счетных устройствах, ключевых схемах и ограничителях. Оформление - в стеклянной оболочке, миниатюрное (рнс. 14Г1). Масса 18 г. Основные параметры при 1/н=6,3 в, (;а=150 в, (/yoKl = i/yCh2=fc2=150 В, {/01 = 0, RycK2=510 Ом, t/ф - оптимальное, подбирается в пределах от О до минус 30 В Ток иакала................ (320±30) мА То>; анода................ (1б,.5+3,5)мА jc катода................ (24±5) мА Ток 1-го ускорителя............. 3 мА Ток 2-го ускорителя (при (/ci =-10 В)..... <2? мА toK 2-й сетки............... 5 мА
|