Главная
>
Приборы мощных транзисторов приборы мощных транзисторов Классификация транзисторов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструкт1[ино технологическим признакам, роду исходного полупроводникового материала находит свое отражение в системе условных обозначений их типов. В соответствии с появлением новых классификационных групп транзисторов совершенствуется и система их условных обозначении Система обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ II 336 919-81 и базируется на ряде классификационных признаков В основу системы обозначений положен буквснно цифровой код Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор Для обозначения исходного материала используются следующие снмиолы Г или 1 - для германия или его соединений, К нли 2 -для кре 1ния или его соединений, А или 3 - для соединений галлия (практически цлн арсенида галлия, используемого для создания полевых транзисторов), И или 4 - для соединений индия (эти соединения для производства транзисторов пока в качестве исходного материала не прнменя ются) Второй элемент обозначения - буква определяющая подкласс (ми группу) Tpaii3HCTopa Для обозначения потклассов используется о uia нз двух букв Т - для биполярных и П - для полевых транзисторов Третий элемент-цифра, определяющая основные функциональные возможности транзистора (допустимое значение рассеиваемой мощности н граничную либо максимальную рабочую частоту) Дтя обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков транзисторов применяются следукуцие цифры Для транзисторов малой мощности (максимальная мощность, рассеиваемая транзистором, не более 0,3 Вт) 1 - с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (далее граничной частотой) не более 3 МГц. 2 - с ipaini4iioii частогой ботсе 3, но не более 30 МГц, 3 - с гранично ! частотой более 30 Ml ц Для транзисторов средней мо1ц1!Ости (максичатьиая мощность, ассенпаемая транзистором, более 0 3 но не более 1,5 Вт), 4 - с граничной частотой ие бо lec 3 VUh, 5 - с граничной частотой более 3 но ие ботсе 30 МГц, 6 - с граничной частотой более 30 МГц Для транзисторов большой мощности (максимальная мощность, ассеиваемая транзистором, более 1,5 Вт), 7 - с граничной частотой ие более 3 МГц 8 - с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц, 9 - с граничной частотой более 30 МГц Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер раз-аботки технологического типа транзисторов Для обозначения порядкового номера используют двухзначные исла от 01 до 99 Если порядковый номер разработки превысит чис-о Э9, то применяют трехзначные числа от 101 до 999 Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию о параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии В качестве классификационной литеры применяют буквы русского лфавита (за исключением 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э) Стандарт предусматривает также введение в обозначение ряда до-олиительных знаков при необходимости отметить отдельные сущест-внные конструктивно-технологические особенности приборов В качестве дополнительных эпементов обозначения используют ледующие символы цифра от 1 до 9 - для обозначения модернизаций транзистора, риводящих к изменению его конструкции кли электрических пара-етров, буква С - для обозначения наборов в общем корпусе однотипных ранзисторов (транзисторные сборки), цифра, написанная через дефис, - для бескорпусных транзисторов, ти цифры соответствуют следующим модификациям конструктив-ого исполнения 1-с гибкими выводами без кристаллодержателя (по тложки); 2 - с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке), 3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки), 4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке), 5 - с контактными площадками без кристаллодержателя (подлож-и) и без выводов (кристалл); 6 - с контактными площадками на кристаллодержателе (подлоа-е), но без выводов (кристалл иа подложке) Таким образом, современная система обозначений позволяет по аименованию типа получить значительный объем информации о войствах транзистора Примеры обозначенич некоторых транзисторов КТ604А - кремниевый биполярный, средней мощности, низкоча-готный, номер разработки 04, группа А, 2Т920А - кремниевый биполярный, большой мощности, высокоча-готный, номер разработки 20, группа А; КТ937А-2 - кремниевый биполярный, большой мощности, высоко-астотный, номер разработки 37, группа А, бескорпусный, с гибкими ыводами на кристаллодержателе, 2ПС202А-2 - набор ма.юмощныч кремниевых полевых транзисто-пов средней частоты, номер разработки 02, группа А, бескорпуснын, с гибкими выводами иа крнсталлодержателе Для большнисгва транзисторов, включенных в настоящий справочник использована система обозначений согласно ранее действовавшим ГОСТ 10862-64 и ГОСТ 10862-75, которая в своей основе не отличается от описанной Однако у биполярных транзисторов, разработанных до 1964 г. и выпускаемых до настоящего времени, условные обозначс1[ия типа состоят из двух или трех элементов Первый элемент обозначения - буква П, характеризующая класс биполярные транзисторов, или две буквы МП для транзисторов в корпусе, герметизируемом способом холодной сварки. Второй элемент - одно-двух- Hjih трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и указывает на подкласс транзистора по роду исходного полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной (или предельной) частоты от 1 до 99 - германиевые ма..омощные низкочастотные транзисторы, от 101 до 199 - кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы, от 201 до 299 - германиевые мощные низкочастотные транзисторы, от 301 до 399 - кремниевые мощные низкочастотные транзисторы; от 401 до 499 - германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы, от 501 до 599-кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы, от 601 до 699-германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы, от 701 до 799 - кремниевые высокочастотные н СВЧ мощные транзисторы Третий элемент обозначения (у некоторых типов он может отсутствовать) - буква, условно определяющая классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии. Примеры обозначения некоторых транзисторов. П213А-германиевый мощный низкочастотный, номер разработки 13, группа А; П702А - кремниевый мощный высокочастотный, ноьгер разработки 02, группа Л 1.2. Классификация транзисторов по функциональному назначению В настоящем справочнике, наряду с нашедшей отражение в системе условных обозначений типов транзисторов классификацией, приведена классификация биполярных транз[1сторов по частоте: низкочастотные (/гр<30 МГц); высокочастотные (30 МГц</гр< < 300 МГц), свсрхвысокочастотные (frp300 МГц). Биполярные транзисторы в соответствии с основными областями применения подразделяются на следующие группы- универсальные (низкочастотные и высокочастотные); усилительные (сверхвысокоча
|