Главная
>
Приборы мощных транзисторов Попускается работа транзистора ST950A на частотах выше МГц и в диапазоне частот 1,5-30 МГц. Прн работе на частотах 8 30 д\Гц значения Рпых и Як, ср cnnH-LaraTcn иа 40%. Допуска-работа транзистора 2Т950Б на частотах выше 30 А\Гц. Пайку одов допускается производить на расстоянии не .менее 1 мм от орпуса транзистора при температуре 260 °С в течение времени не конструкция транзистора 2Т950Б обеспечивает отпайку фланца от ппуса п не менее чем трехкратную перепайку транзистора на мон- жную поверхность гибридных схем при температуре напайки не ыше 200 °С в течение времени ие более 8 с на каждую пайку. Для тпайкн фланца от корпуса проводят локальный подогрев винта Аланца, используемого для крепления транзистора только при измерении параметров. 2Т951А-2Т951В Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усилительные. Предназначены для применения в широкополосных линейных усилителях мощности в диапазоне частот 1,5-30 МГц (2Т951Б) 30-80 МГц (2Т951А, 2Т951В) при напряжении питания 28 В. Корпус металлокерамический с гибкими полосковыми выводами. Масса траизисторов не более 3,5 г. 11.5 а Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначение Значенне 2Т951А (Рвы1 = 25 Вт, f=80 МГц) 2T95IB (Рвы1=3 Вт, f = 80 МГц) Коэффициент полезного действия, 2Т951Б (рвыг = 20 Вт, f = 30 МГц) 2Т951А (рвых=25 Вт, / = 80 МГц) 2T95IB (Рвы1 = 3 Вт, f = 80 МГц) Коэффициент комбинационных составляющих 3-го и 5-го порядков (двухтоновый сигнал), дВ: 2Т951Б (рвых(по) = 20 Вт, f = -30 МГц) 2Т951А (рвых(по)=15 Вт, / = = 80 МГц) 2T95IB (Явы1(по)=2 Вт), f = = 80 МГц) Статический коэффициент переддчи тока в схеме ОЭ: 2Т951А 2Т951Б 2Т951В Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/ = = 30 МГц): 2T95IA 2Т951Б 2T95IB Емкость коллекторного перехода, пФ: 2Т951А. 2Т951Б 2Т951В Емкость эмиттерного перехода, пФ: 2T95IA, 2Т951В 2Т951В Полное входное сопротивление*. Ом: 2Т951Б (Рвы1 = 20 Вт, / = 30 МГц) 2Т951А (Рвы1 = 70 Вт, / = 80 МГц) 2T951B (Рвы1==3 Вт, f = 60 МГц) Обратный ток коллектор - эмнттер, (RS3=iO Ом), мА: Г = 25 °С 2Т951В. 2Т951Б 2T951B Г=125 °С 2T95IA. 2Т951Б 2T951B Обратный ток эмиттера. А: 2Т951А, 2Т951В 2T95IB Индуктивность эмиттерного вывода (1 = 5 мм)*, нГн Индуктивность коллекторного вывода (/ - 5 мм)*, нГн Индуктивность базового вывода (1 = 5 мм)*, нГн Емкость коллектор - корпус,* пФ Емкость база - корпус, пФ 213 б.к 3,3 15 40 60 50 -35* -33* 15 10 30 60* 9* 20* 30* 70* 58* 50* 40* 100* 10* 10* 14* 9,5* 600* 80* 3.5-f/ 5 0,8-1- 4-/2,2 2+i2 0,05* О, 1* 3,2 3, 2 1.0 0,8 25* 40* 80* 60* - 30 -27 -27 100* 1 00 200* 14* 14* 18* 70 12 20 5 40 10 40 10 28 28 28 28 28 10 10 10 10 10 10 28 28 (0) (0) 28 60 В 65 В 5 А 3 А 0,5 А 3 Вт 2 Вт 0,2 Вт 30 : 1 КТ951А-КТ951В 45 ь, 30 Вт 6,3 Вт 2,83 С/Вт 4,25 С/Вт 12,1 °С/Вт 200 °С от -60 °С до Г =125 °С от -60 С до Г =100 °С При Т >30°С Рк, оршах снижается линейно до 18 Вт для gSlA, до 12 Вт для 2Т951Б и 2.8 Вт для 2Т951В (Т =125°С). 40 30 10 5
импульсное напряжение коллектор - эмиттер (УэБ=- = 2Т951А, 2Т951Б ....... 2Т951В.......... Постоянное напряжение эмиттер - база Постоянный ток коллектора: 2Т951А.......... 2Т951В.......... 2Т951В.......... ВЧ входная мощность: 2Т951А .......... 2Т951Б .......... 2Т951В .......... Степень рассогласования нагрузки в тече- ие 1 с при Явых = 25 Вт (2Т951А), Р.ь,.ё:20 Вт (2Т951Б), РвыхЗ Вт {2Т951В).......... Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (Гк<30°С): 2Т951А.......... 2Т951Б.......... 2Т951В.......... Тепловое сопротивление переход - корпус: 2Т951А .......... 2Т951Б.......... 2Т951В.......... Температура перехода...... Температура окружающей среды; 2Т951А -2Т951В.......
|