Главная
>
Приборы мощных транзисторов ytij да so ьо ер го Io о
21 Ы 1/ ! О S 4 С г I О
9 L 9 В DI и Гч1
oz-яг- -iff ?/ 0Z
GZ-ОС- dCZ DZ St 01
ог-sz- 39% so hD 7/0
350 150 100 50 IZ IS ZO Щв,о
Допускается работа транзксторов 2Т951А, 2Т951В на частотах выше 80 МГц, а также в диапазоне частот 1,5-30 МГц. При работе на частотах ниже 30 МГц значения Рвыг и Рк, ср снижаются на 40%. Допускается работа транзистора 2Т951Б на частотах выше 30 МГц. Пайку выводов допускается производить иа расстоянии не менее 1 мм от корпуса при температуре 260 °С в течение ие более 8 с. Конструкция транзистора 2Т951Б обеспечивает отпайку фланца от корпуса н не менее чем трехкратную перепайку транзистора на монтажную поверхность гибридных схем при температуре напайки ие выше 200 °С в течение времени не более 3 с на каждую пайку. Для отпайкн фланца от корпуса проводят локальный подогрев винта фланца, используемого для крепления транзистора только при измерении параметров. 2Т955А, КТ955А Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усилительные. Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности на частотах 1,5-30 МГц при напряжении питания 28 В. Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Масса транзистора не более 6 г. Параметр - 0- Зиачеине Выходная мощность (f = = 30 МГц). Вт Коэффициент усиления по мощности (/ = 30 МГц, двухтоновый! снгиал. Рвы-т (по)= 10 Вт) Коэффициент полезчого действия коллектора (/ = 30 МГц, двухтоновый сигнал. Рвых(по) - = 10 Вт). °i Коэффициент комбинационных составляющих 3-го и 5-го порядков, (/ = 30 МГц, двух10н0-вый сигнал, Рпих (по1= 10 Вт), дБ Статический коэффициент передачи тока в с.\о.мс ОЭ; Г = 25 °С Г = -60 °С 2ТЭ55А -/=125 °С 2Т955.А. .Модуль коэффициента передачи тока на вь!сок1)й частоте (/ = = 30 МГц) Емкость коллекторного перехода (/ = 1 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (/= 1 МГц), пФ Полное входное сопротивление (/ = 30 МГц. Рвых(по)=10 Вт)*, 0.М Обратньн ток коллектор - эмиттер (R6,= 10 Ом), мА; Г = 25 °С Г= 125 °С 2Т955А Обратный ток эмиттера, мА Индуктивность эмиттерного вывода. иГн Индуктивность ко.тлскторного вывода, иГн Индуктивность базового blibo-да, нГн <Ур Л .Vis 21Э 1 21э1 20 25 5 10 3,3 50 160 35 1 0< 200 О, 75-Ь -f/1 2 * 1 ,5* 2 * 2, 6 2,4 80 80 250 13* 75 320 1 О 20 10
(28) 0,66 О , 60 0,66 Предельные эксплуатацнонные данные Импульсное напряжение коллектор - эмнттер (?со<10 Ом)....... 70 В Постоянное напряжение эмиттер - база . 4 В Постоянный ток коллектора .... 6 А Постоянный ток базы...... 2 А Степень рассогласования нагрузки (Рвых (по) = 20 Вт) в течение 1с. . 30:1 Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (r s£100°C)i .... 20Вт Тепловое сопротивление переход - корпус 6,07 °С/Вт
|