Главная
>
Приборы мощных транзисторов трмпература перехода . . . ::SepaTypa корпуса: 2Т955А ....... КТ955А....... Температура окружающей среды: 2Т955А ....... КТ955А 200 °С 125 °С 85 °С от -60 °С до Т = 125°С от -45 С до Гк = 85 С I При 7,i> 100 °С Л:, ср max снижается линейно. При пайке выводов температура корпуса ие должна превышать 195 С При отсутствии контроля температуры корпуса пайка производится паяльником, нагретым до температуры 250 °С. в течение времени не более 8 с.
45 40 35 30 25 20
В 12 а 12 М д6 -40 3S 3S -34
60 40
-60 -20 20 60 100 Т/У
20 Щв,В If В 12 16 20 l/ 3,B 2T956A, KT956A Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усилительные. Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности иа частотах 1,5-30 МГц при напряжении питания 28 В. Корпус металлокерамический с полосковыми-выводами и монтажным вннтом. Масса транзистора не более 15 г. электрические параметры Параметр
Выходная мощность (/ = 30МГц), Вт Коэффициент усиления по мощности (/=30 МГц. двухтоновый сигнал. Рги% (по) = 80 Вт) Коэффициент полезного действия коллектора (/ = 30 МГц, двухтоновый сигнал, Ябы1(по) = 80 Вт), % Коэффициент комбинационных составляющих 3-го и 5-го порядков (/=30 МГц, двухтоновый сигнал, /вы1(по) = 80 Вт). дБ Статический коэффициент ередачи тока в схеме ОЭ-7- = 25 °С 7- = -бО°С 2Т956А Г=125°С 2Т956А Модуль коэффициента передачи тока иа высокой частоте (/ = 30 МГц) Ьмкость коллекторного перехода (f=l МГц), пФ с-чкость эмиттерного перехода (=1 МГц). пФ lUwiHoe входное сопротивление (f = -30 МГц, рвы1(по).= 80 Вт)*, Ом уоратный ток коллектор - эмнттер 63=10 Ом), А: 1=2Ъ С Г. 125 С 2Т956А оратный ток эмнттеоа, мА [ВДУктивиость эмиттерного вывода, чда.иГ кторного вы- ijljftykthbhoctb базового вывода,
|