|
| |
|
Главная
>
Приборы мощных транзисторов предельные эксплуатационные д1,ниые Импульсное напряжение коллектор - эмиттер (Лбэ<10 Ом)....... 100 В Постояиное напряжение эмиттер - база . 4 В Постоянный ток коллектора ... . 15 А Постоянный ток базы...... 5 А Степень рассогласования нагрузки (Рвыг = 70 Вт) в течение 1с.... 30.1 Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (Г < 100 °С) ... 70 Вт Тепловое сопротивление переход - корпус 1,68°С/Вт Температура перехода ...... 200°С Температура корпуса: 2Т956А.......... 125 °С КТ956А .... . . . 85 С Температура окружающей среды: 2Т956А.......... от -60 С до 7 к=125°С КТ956А.......... от -45 °С до Гк=85 С При Тк> 100 °С Рк, ср шах снижается линейно. Прн панке выводов температура корпуса не должна превышать 125 °С. При отсутствии контроля температуры корпуса пайка производится паяльником, нагретым до температуры 250 °С в течение времени не более 8 с на расстоянии не менее 1 мм от корпуса. Допускается изгиб выводов на расстоянии не менее 3 мм от корпуса. 24 22
50 40 30 20 30 40 50 выхМ
-J8 -П -36 -35 -33 -П
8 7 6 S ♦
J0 kO 50 60 Реь (поуВг 0 12 3 1 l ,fl Л; 32 30 28 26 2i 22 20
SO 50 iO 30 20 W
2 ♦ д 10 /,/? -60 -30 о 30 60 900 800 100
1в.Л 18 IS 12 3 6
S 10 15 го 25 що Зак. 225 2Т957А, КТ957А Тра1!зисторы кремниевые эпитаксиальио-плаиарные п-р-п усил тельпые Предиазиачены для примеиеипя в лниейиых широкополое пых усилителях мощности на частотах 1,5-30 МГц при напряжении питания 28 В. Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтаж ным винтом. iMacca транзистора не более 15 г.  Электрические параметры Параметр
Выходная мощность (/=30 МГц), Вт Коэффицнент усиления по мощности (/ = 30 МГц, двухтоновый сигнал Явых (по)= 150 Вт) Коэффициент полезного действия коллектора (/=30 МГц, двухтоновый сигнал. Явых (по)= = 150 Вт), % Коэффициент комбинационных составляющих 3-го и 5-го порядков (/ = 30 МГц, двухтоновый сигнал, Явых (по)= 150 Вт), дБ Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Модуль коэффициента передачи тока яа высокой частоте (/== = 30 МГц) Емкость коллекторного перехода (/=! МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (f = I МГц), пФ
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
