Главная
>
Приборы мощных транзисторов Параметр Значение Режим измерения < г, ПР входное сопротиаленне ГГМГЦ Лых (по)=150 Вт). Обратный ток коллектор -эмит- ?ер W Г=125°С 2Т957А Обратный ток эмиттера, мА Индуктивность вывода эмнтте- индуктивность вывода коллектора*, иГи Индуктивность вывода базы*, вГн 0.6-f;0,5 10* 5* 2 2,2 100 200 30 Предельные эксплуатационные данные Импульсное напряжение коллектор - эмнттер (RslO Ом)....... 60 В Постоянное напряжение эмиттер - база . 4 В Постоянный ток коллектора..... 20 А Постоянный ток базы...... 7 А Степень рассогласования нагрузки (Рвы! (по) = 70 Вт) в течение 1с... 30 : 1 Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (Гк<100°С) .... 100 Вт Тепловое сопротивление переход - корпус 1,42°С/Вт Температура перехода ...... 200°С Температура корпуса: 2Т957А.......... 125 °С КТ957А.......... 85 °С Температура окружающей среды: 2Т957А.......... от-60 °С до Т =125 °С КТ957А.......... от-45С до Гк = 85С При Г >100 °С Рк, cpmai снижается линейно. 125 выводов температура корпуса не должна превышать изя отсутствии контроля температуры корпуса пайка про- врем* паяльником, нагретым до температуры 250 °С, в течение пуск не более 8 с на расстоянии не менее 1 мм от корпуса. До-ается нзгиб выводов иа расстоянии ие менее 3 мм от корпуса. да зг 30 28 26 Zt ZZ 20
60 80 100 120 70 60 50 40 30 гтззтл О КЗ - 28 в У = ЗОМГц lux (по) ВГ 60 80 100 по %,1 ,,вг 40 -38 -36 -34 -32 -30
60 во 100 120 ttixfno) 213\ 6 5 4 3 its 40 213 3S 30 15 20 16 W
8 10
гооо то im воо
го 16
70 го 30 40 uFi.B 5 10 75 20 l/f(j,B 2Т958А, КТ958А Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах иа частотах 50-200 МГц при напряжении питания 12,6 В. Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено. Масса транзистора не более 7 г. Шероховатость контактной поверхности теплоотводов должна ыть не менее 2,5. Неплоскостность контактной поверхности теплоотвода должна быть ие более 0,04 мм. Тепловое сопротивление кор-Ус - теплоотвод при нанесении теплоотводящей смазки типа КТП-8 на поверхность теплоотвода транзистора не более 0,3°С/Вт. Чайка выводов допускается иа расстоянии не менее 1 мм от кор-мет* ° методике, не приводящей к нарушению конструкции и гер- нчности транзисторов. Пайку производить при температуре не Ше 270 °С в течение времени не более 5 с.
|