Главная >  Приборы мощных транзисторов 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 [ 106 ] 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184

Значение

Режим измерения

Параметр

Буквеииое обозначение

й> о

са о с

о :й п

(а т

(а т л

Выходная мощность (/= = 175 МГц, 7-я<40 С), Бт

12,6

Коэффицнент усиления но мощности (f=I75 МГц, Явы1 = = 40 Вт)

<Ур

1 1

12,6

Коэффициент полезного действия коллектора (/=175 МГц, Рвых = 40 Вт), %

12,6

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ

21Э

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер*. В

КЭ нас

0,05

0,08

0,15

0,5 (0,1)

Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте if~ = 100 МГц):

2Т958А

КТ958А

-21Э

9,2*

Критический ток коллектора (/=100 МГц)*, А

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/ = 5 МГц)* ПС

0,05

Емкость коллекторного перехода (/ = 30 МГц), пФ

100*

130*

(12)

Емкость эмиттерного перехода (/ = 5 МГц),*, пФ

1770

1920

2100

Обратный ток коллектор-эмнттер (йбэ= 10 Ом), мА:

Г = 25 °С

2Т958А

КТ958А

Г=125°С 2Т958А

15 25 30

Обратный ток эмиттера, мА: Г = 25 °С Г=125°С

Индуктивность внутреннего iC-звеиа*, иГн

0,52

Емкость внутреннего LC-звеиа* пФ

1250

1400

1550

Индуктивность эмиттерного вывода (/=1 мм)*, нГи

0,44

Индуктивность коллекторного вывода (;=1 мм)*, иГн Индуктивность базового вывода (Г=1 мм)*, нГн

1.6 0,6



Прн Гк>40Х Рк.орт.х [Вт] = (160-Г )/1.4.


1 >

КТ95в/1

/ * ПЗМГц

и КЗ гв

1к. %

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (/?6э<10 Ом)....... зд g

Постоянное напряжение эмиттер - база . 4 в

Постоянный ток коллектора..... jg д

ВЧ входная мощность*...... 10 Вт

КСВН коллекторной цепи (Явы1 = 30 Вт

Г = 40°С)........: 5

Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (7 <40°С) .... 85 Вт

Тепловое сопротивление переход - корпус 1,4°С/Вт

Температура перехода ...... 160°С

Температура KOipnyca:

2Т958А....... 125 °С

<Т958А........; : goc

Температура окружающей среды:

.......от -60 °С до

Гк=125 С

А..........от-40 С до

Гк = 85°С



60 50

JO 0

2T35B/I,

нтэзая

f - 200 МГц

120 WO

U,t} 12.6 В

20 0

г h в Ps Bt

г т358я,

КТ958Я

/ - Wo МГц иу we

2T3S8/t, ЯТ95ВЛ

/ П5МГц

120 100

40 20 О

4 8 12 16 7л-,/?


в 12 16 Гд.,/?

С...nP

20 10

2Г938Я, КГЭ58Я

f 5МГц

0,2 O.t 0,6 0,8

200 150

2Т358Я, ВТ358Я

у = ЗОМГц



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 [ 106 ] 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184