|
Главная
>
Приборы мощных транзисторов 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 [
106
] 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 | | Значение | Режим измерения | Параметр | Буквеииое обозначение | й> о | са о с | о :й п | (а т | (а т л | | Выходная мощность (/= = 175 МГц, 7-я<40 С), Бт | | | | | 12,6 | | | Коэффицнент усиления но мощности (f=I75 МГц, Явы1 = = 40 Вт) | <Ур | | | 1 1 | 12,6 | | | Коэффициент полезного действия коллектора (/=175 МГц, Рвых = 40 Вт), % | | | | | 12,6 | | | Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | 21Э | | | | | | | Напряжение насыщения коллектор - эмиттер*. В | КЭ нас | 0,05 | 0,08 | 0,15 | | | 0,5 (0,1) | Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте if~ = 100 МГц): 2Т958А КТ958А | -21Э | | | 9,2* | | | | Критический ток коллектора (/=100 МГц)*, А | | | | | | | | Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/ = 5 МГц)* ПС | | | | | | | 0,05 | Емкость коллекторного перехода (/ = 30 МГц), пФ | | 100* | 130* | | (12) | | | Емкость эмиттерного перехода (/ = 5 МГц),*, пФ | | 1770 | 1920 | 2100 | | | | Обратный ток коллектор-эмнттер (йбэ= 10 Ом), мА: Г = 25 °С 2Т958А КТ958А Г=125°С 2Т958А | | | | 15 25 30 | | | | Обратный ток эмиттера, мА: Г = 25 °С Г=125°С | | | | | | | | Индуктивность внутреннего iC-звеиа*, иГн | | | 0,52 | | | | | Емкость внутреннего LC-звеиа* пФ | | 1250 | 1400 | 1550 | | | | Индуктивность эмиттерного вывода (/=1 мм)*, нГи | | | 0,44 | | | | | Индуктивность коллекторного вывода (;=1 мм)*, иГн Индуктивность базового вывода (Г=1 мм)*, нГн | | | 1.6 0,6 | | | | |
Прн Гк>40Х Рк.орт.х [Вт] = (160-Г )/1.4. 1 > | | КТ95в/1 | | | | | | | | | | | | | / * ПЗМГц | | | и КЗ гв | | | | |
1к. % Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (/?6э<10 Ом)....... зд g Постоянное напряжение эмиттер - база . 4 в Постоянный ток коллектора..... jg д ВЧ входная мощность*...... 10 Вт КСВН коллекторной цепи (Явы1 = 30 Вт Г = 40°С)........: 5 Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (7 <40°С) .... 85 Вт Тепловое сопротивление переход - корпус 1,4°С/Вт Температура перехода ...... 160°С Температура KOipnyca: 2Т958А....... 125 °С <Т958А........; : goc Температура окружающей среды: .......от -60 °С до Гк=125 С А..........от-40 С до Гк = 85°С 60 50 JO 0 2T35B/I, нтэзая f - 200 МГц 120 WO U,t} 12.6 В 20 0 г h в Ps Bt | | | г т358я, КТ958Я | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | / - Wo МГц иу we | | | |
120 100 40 20 О 4 8 12 16 7л-,/? в 12 16 Гд.,/? С...nP 20 10 0,2 O.t 0,6 0,8 200 150
|
|