Главная
>
Приборы мощных транзисторов | | | Значение | Режим нзмсрс1п1я |
Параметр | Буквеииое обозначение | | о о о с | !2 я | | < |
гмкость эмиттерного перехода (f-1 МГц). Ф (Горатнь ток коллектор - эмиттер y/, = 10 Ом), мА Обрат..... ток эмиттера. мА | | 700* | 1500 1,0* 10* | 2500 20 150 | (4) 36 (4) | |
п 1иос мходиое соиротииленис* = 30 МГц. Р м1(.ш) = 70 Вт). Ом Индуктнпиость эмиттерного выво- | | | 0.9-1--1-/1,1 2,0 | | 12,6 | |
да. Ги Иидуктниность Оазоаою п,]пода*, | | | | | | |
игге | | | | | | |
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное иапряженне коллектор - эмнттер (/?,.б<10 Ом)....... 36 В
Постоянное напряжение эмиттер - база . 4 В
Постоянный ток коллектора ... 15 А
154 мощность на в.коде...... 8 Вт
Степень рассогласования нагрузки в течение 1 с (/ = 30 МГц, Р ,х90 Вт) . . 30:1
Средняя динамическая мощность в динамическом режиме (Г <35°С) ... 100 Вт
Тепловое еонротнплснис переход - корпус 1,7°С/Вт
Температура перехода...... 200 °С
Температура корпуса:
2Т967А.......... 125 °С
КТ967А.......... 100°С
Температура окружающей среды:
2Т967А..........от -60 °С до
Г =125 °С
КТ967А.........от-45 °С до
Гк=100 °с
При 7 >35С Рк, ортах 1Вт] = (200-Гк)/1.7.
yw niT выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от кор-Ри температуре не выше 260 °С в течение не более 8 с.
дИ 75 70 65 60 55 50
УР(па)
-35 36 -37 -38
| | | 2ТЗБ7Я, КТ367Й |
| | | | | | |
| | | | Uj -- IZ.BB |
| | | | f ЗОМГц |
| | | | | | |
| | | | | | |
80 70 60 50 40 30
| | | | 2 7967Я. ВТ367Я |
| | | | | |
| | | | | | |
| | | | | | |
| | ьш(по) - 708T f = JO МГц 1 1 1 | |
| | |
ZI3 60
12 Uj.B
Ч В 12 16 201к,
нз пас.
0.3 0.8
О 0.5 1 ts г
С п<Р
3000
геоа
2200
| | | | Zr 967/1, К Т967/1 1 - s/r |
| | |
| | | | | | |
| | | | | |
| | | | | | |
| | | | | | |
| | | | | | |
| | | | | | |
; 0,5 1 , пЧ> | 1,5 2 IS./I |
| | | 27967/1, К 7967/1 |
| | | | | | |
| | | | | | |
| | | | | | |
| | | | | | |
| | | | | | |
7 Z 4 6 8 и в,В fl |
10 5
| | | | 27367я, К7967Я |
| | | | | | |
| | | | Гп - | 200с ЗОС |
| | | | | | |
| | | | | | |
| | | | | | |
в 12 16 и В
