Главная
>
Приборы мощных транзисторов 2Т504А, 2Т504Б Транзисторы кремниевые планарные п-р-п переключательные. Предназначены для применения в высоковольтных ключевых стабилизаторах напряжения и преобразователях. Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса транзистора не более 2 г.
Электрические параметры Параметр Буквенное обозначение Значение Режим измерения < Граничное напряжение (Тв=300 мкс. Q> 100. время нарастания напряження ис менее I мкс). В 2Т504А 2Т504Б Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В Напряжение насыщения база - эмиттер. В Статический коэффицн-С!т передачи тока в схеме ОЭ Г=25 °С 7=125°С Г=-00 °С Время включения, мкс Время В,1ключеиин мкс Время рассасывания, мкс КЭ ас БЭ ас 250 1 50 0,2* 0,81* 1 5 8 7 0,013 0.4 9 0,4 0,35 0,4.4 0,06* 1.5* 1. е 1 00* о, 1 3.5 0,5 0,5 0.5 0. 5 О 03 (0.1) (0,1) (0.05) (0.05) ( 0.05)
Прь UKnoumnt [I шряжспии мшьт к JO LOn>CK0(- r*i( время lUipvl Предельные эксплуатационные данные Постоянное иапряжение коллектор--эмт-1ср 100 Ом) 21504А . . . . . 2Т504Б ........ Постоянное напряжение коллектор - база 2Т504А ... 2Т504Б ...... . . Постоянное напряжение эмиттер - база Постояннин ток колтектора- коллектора 1, 2 .мощность Импульсный ГОК <500 мкс, Q>2) Постоянный ток батп Постоянная рассеиваемая лектора с тсилоотводом (от -60°С до = -Ь25С) ... . , без теплоотвода (Г =-бО-т--)-25 С-*) Температура перехода ..... Температура окружающеГ! среды (корпуса) кол- 7- = 350 В 200 В 400 В 250 В 6 В 10 Вт 1 Вт 150 С -60 -Ы25 С Прн времени нарастания напряжения не менее 0,5 мкс. Без превышения лначення постоянной рассеиваемой мощности котлектора Прн температуре корпуса от 25 до 125 °С при использовании транзистора с теплоотводом и при температуре окружающей среды от 25 до 125°С при использовании без теплоотвода рассеиваемая мощность коллектора снижается линейно до 2,25 Вт с теплоотводом н до 0,25 Вт без теплоотвода, 40 :]5 0,6 0,1 0,8 В ш 10 Л 0,8 / 10 < 63 час 1.1 10 0,3 0.8 0,1 0.6
Ч 10 10 L.,
1 , 25 15 100 Т ,Х W-
lOU.s,
|