Главная >  Приборы мощных транзисторов 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 [ 11 ] 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184

2Т504А, 2Т504Б

Транзисторы кремниевые планарные п-р-п переключательные. Предназначены для применения в высоковольтных ключевых стабилизаторах напряжения и преобразователях.

Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса транзистора не более 2 г.


-i <-1~

>

!J 5

Электрические параметры

Параметр

Буквенное обозначение

Значение

Режим измерения

<

Граничное напряжение (Тв=300 мкс. Q> 100. время нарастания напряження ис менее I мкс). В

2Т504А 2Т504Б

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В Напряжение насыщения база - эмиттер. В Статический коэффицн-С!т передачи тока в схеме ОЭ

Г=25 °С

7=125°С

Г=-00 °С Время включения, мкс

Время В,1ключеиин мкс

Время рассасывания, мкс

КЭ ас БЭ ас

250 1 50

0,2*

0,81*

1 5 8 7

0,013 0.4 9

0,4

0,35 0,4.4

0,06* 1.5*

1. е

1 00*

о, 1 3.5

0,5 0,5

0.5 0. 5

О 03

(0.1) (0,1)

(0.05) (0.05)

( 0.05)



Значение

Режим измеренп!

Букгеппое

§

Параметр

обозначение

<

<

о ji

Гр.чи.чп 1я члстота коэф-

(} i UHCiiTj лерслачи toiwi

п счсме ОЭ. Ml 1!

8 2

0,05

Емкость коллскториоги

перехода (;=10МГц). пФ

I \

Емкость эмиттерпою пс

рсчода (f = 300 кГп.). пФ

I 60*

238

(0,5)

Обратный ток коллекто-

р 1 мкА

7 =-G0 - -1-25 С

21501 \

0.005

1 00

2Г501>

0 . 005

1 00

Г-125 С 21501Л

1 ООО

2Т503Б

1 ООО

1 50

Ot])iTHi.ni кж эмиттера

Ml \

0,002

! !

Прь UKnoumnt [I шряжспии мшьт

к JO

LOn>CK0(- r*i( время lUipvl

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное иапряжение коллектор--эмт-1ср 100 Ом)

21504А . . . . .

2Т504Б ........

Постоянное напряжение коллектор - база

2Т504А ...

2Т504Б ...... . .

Постоянное напряжение эмиттер - база Постояннин ток колтектора-

коллектора

1, 2

.мощность

Импульсный ГОК <500 мкс, Q>2) Постоянный ток батп Постоянная рассеиваемая лектора

с тсилоотводом (от -60°С до = -Ь25С) ... . ,

без теплоотвода (Г =-бО-т--)-25 С-*)

Температура перехода .....

Температура окружающеГ! среды (корпуса)

кол-

7- =

350 В 200 В

400 В 250 В 6 В

10 Вт 1 Вт 150 С -60 -Ы25 С

Прн времени нарастания напряжения не менее 0,5 мкс. Без превышения лначення постоянной рассеиваемой мощности котлектора

Прн температуре корпуса от 25 до 125 °С при использовании транзистора с теплоотводом и при температуре окружающей среды от 25 до 125°С при использовании без теплоотвода рассеиваемая мощность коллектора снижается линейно до 2,25 Вт с теплоотводом н до 0,25 Вт без теплоотвода, 40




:]5 0,6 0,1 0,8

В ш

10

Л 0,8

/ 10 <

63 час 1.1

10 0,3 0.8 0,1 0.6

ZTSOt/i,

Ч 10

10 L.,

ZTSOfB

N/ тсплоатбадом

тепл

аатвода

1 ,

25 15 100 Т ,Х W-

г Tsot/

lOU.s,



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 [ 11 ] 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184