Главная
>
Приборы мощных транзисторов КТ969А Транзистор кремниевый планерный п-р-п усилительный. Предиа-ачен для работы в выходных каскадах видеоусилителей телевизионных приемников. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не более 0,8 г. 16.5
Электрические параметры Параметр Буквеииое обозна-чевие Значение Режим измерения
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ, МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Г=25-85<С Г= 45°С 1раничное напряжение, В Напряжение иасыщення коллектор - эмнттер. В v 5°? коллекторного перехода (fi МГц), пФ Обратный ток коллектора: =-45 -1-25 °С,нА nJ=85°c, мкА Г2 й ток эмиттера, нА КЭО гр LKa иас КБО ЭБО 15 15 10 15 (3) Предельные эксплуатационные даииые Постоянное напряжение коллектор - база 300 В Постоянное напряжение коллектор - эмиттер = оо)........ 250 В остояниое напряжение эмиттер - база . 5 В Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора (Ти<100 мс Q>100)......... Постоянный ток базы..... Постоянная рассеиваемая мощность коллек тора; с теплоотводом (Гк = -45ч---25°С) без теплоотвода 2 (7 = -45-г+25°С) Температура перехода ..... Тепловое сопротивление переход - корпус Тепловое сопротивление переход - среда Температура окружающей среды 100 мА 200 мА 50 мА 6 Вт 1 Вт 150 °С 21 °С/Вт 125 С/Вт -45 +85 С При Т >25С Рк max [Вт] = (150 -Т )/21. 2 Прн 7->25°С Ркшах [Вт1 = (150 -Г)/125. 20 15 12 8
2 /.5 /
Cfi U,S 0,6 0,1 0.8 Vg 8 0,3 0.6 0,3 l,2I,flfl
12 W 2Чи ,В 10 15
Разрешается производить пайку выводов при температуре 250 °С в течение не более 3 с на расстоянии не менее 6 мм от корпуса транзистора. Изгиб выводов осуществляют на расстоянии не менее 5 мм от корпуса только в иаправлении, перпендикулярном плоскости выводов. Радиус изгиба не менее 1,5 мм. При эксплуатации транзисторов следует учитывать возможность их самовозбуждения как высокочастотных элементов. 2Т971А, КТ971А Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50-200 МГц при напряжении питания 28 В. Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Внутри корпуса имеется согласующее /.С-звено. Масса транзистора не более г. 2arS <f3,Z 3 выводов транзистора допускается на расстоянии ие менее ее I корпуса. Пайка выводов допускается на расстоянии не ме-От корпуса при температуре 260 °С в течение 4 с.
|