Постояниое напряжение коллектор - эмиттер ( эв<10 Ом)....... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер - база . 4 В
Постоянный ток коллектора .... 17 А
ВЧ входная мощность......- 50 Вт
КСВН коллекторной цепн (Ug2iB, Г <50°С, /=175 МГц):
Рпь,1<85 Вт (в течение 3 с) ... . 10
РвыхЭО Вт (длительное) .... 3 Средняя рассеиваемая мощность в дииамн-
ческом режиме (Гк<40С) . . . 200 Вт
Тепловое сопротивление переход - корпус 0,6°С/Вт
Температура перехода...... 160°С
Температура корпуса:
2Т971А.......... 125 С
2Т971А.......... 85 С
т/мпература окружающей средЫ:
2Т971А..........от-60 °С до
Гк=125 С
2Т971А..........от-40 С до
Гк = 85С
1 Прк Г >40°С Рктах [Вт]=с(160-Г )/0,6.
ISO 125 100
гтзтя нтэил
z8b 175 МГц
too во
60 40
Кур, дБ 24
20 16 11 8
2 Т 971/1, КТ971Л
Рдш SOBT
и з -28 8
-*чв
S 10 IS 20 Рд Вт
SO 75 100 125 150 /.МГц
213 \
6 5
2 Т 971/1, НТ971Я
-
-- 10В
f = юомгц
1нр,
60 \
50 40 3D 20 10
О 20 30 40 50Ц,/1
уУгтэуш,
71/1
f = 100 МГц
5 10 15 го Щз,В
hOO 300 200
100 0
2 татя,
HTS71/I
J ЗОМГц
10 20 JO hO Щд, д
5 10 IS 20 25и ъ IlMM
у 2ТЭ71
l-iMM О.ЗбкГп 0.35 яГн
2000пФ
2T980A
\Ь ШМ
транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усилительные. Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 1,5-30 МГц прн напряжении питания до 50 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтажным виитом. Масса транзистора не более 11 г.
