Параметр

Буквенное обозиаче иие

Значение

ности

оэффициент полезного дейст-1Г коллектора (f = 30 МГц, Сх ( о)=250 Вт), % готический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Гпавичная частота коэффициента передачи тока, МГц Праиичиое напряжение. В vikoctb коллекторного перехо-Г(/=> МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода ((=3 кГц), пФ

Полное входное сопротивление (/=30 Л1Гц. Рвых (по)=250 Вт). %

Обратный ток коллектор -эмиттер. ( бэ = 10 Ом), мА-

Г=25 °С

Т=125°С обратный ток эмиттера, мА

Индуктивность эмиттерного вывода, иГи

Индуктивность коллекторного вывода*. нГн

Индуктивность базового вывода, нГи

2 1Э frp КЭО гр к

КЭ R

20* 21 О*

0,62-f/0,37

1,6 2,8 I , 9

Режим измерения

ш го

450 1 5000

100 200 500

50 (0)

I 00 100 (4)

Предельные эксплуатационкые данные

Постоянное напряжение коллектор - эмит

тер (/?эс:10 Ом)......

Постоянное напряжение эмиттер - база Постоянный ток коллектора

входная мощность.....

Степень рассогласования нагрузки в тече ние 1 с (/ = 30 МГц, Рвых (00)100 Вт . Средняя рассеиваемая мощность в динами ческом режиме (Тк<30°С) . . . Тепловое сопротивление переход - корпус

Темп Темп

ература перехода ература окружающей среды

100 В

10 А 16 Вт

30: 1

300 Вт 0,57 °С/Вт 200 °С от -60 °С до 7 = 125 °С

При Г >30С Р , сргааг [Вт] = (200 - 7к)/0,57.

вод з выводов на расстоянии не более 2 мм от корпуса произ-PaccT* температуре не более 260 °С в течение не более 8 с. На °яиии менее 2 мм температура пайки выводов ие более 150 °С.

зооР1, ( фВт fO hz ♦* ЧВ fa 5щд

-ZSf

-ZI -2J3 -31 -33 -35 -37

гтзво/1

it7B

zoo 220 2fO Z60 zeO 300Pin,,i8r 5 tS *7 Чд SUjJ

60 50

30 20 ID

0 348

70 8 6

Ik fa

С пФ

mo izao uoo

;i)0 5 10 iO SOfOU/f,.e

WOO 300 800

p-n-p

2T629A-2, KT629A

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р импульсные. Предназначены для работы в быстродействующих импульсных, переключающих схемах и в усилителях высокой частоты в составе герметезированиой аппаратуры. Бескорпусиые с защитным покрытием на керамической подложке с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,02 г.

Защитное покрытие-лак ПАИ-1 ТУ6-05-211-804-72. Не допускается воздействие на транзисторы в момент монтажа в интегральную хему температуры более 200 °С, время воздействия температур не

олее 100 с. Минимальное расстояние от места пайки (сварки) до оверхности транзистора 2 мм, изгиба ие ближе 0,5 мм от места вы-

°Да вывода из защитного покрытия. При монтаже рекомендуется пользовать припой ПОС-61.