Главная >  Приборы мощных транзисторов 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 [ 114 ] 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184

Параметр

Буквеииое обозначение

Значенне

Режим измр;;;;;-

<

напряжение,

Граничное В

2Т6Э2А-2

КТ629А Напряжение насыщения коллектор - эмнттер, В:

2Т629А-2

КТ629А Напряжение насыщеиня база - эмиттер. В:

2Т629А-2

К-Т629А Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ;

Г = 25 °С 2Т629А.2 КТ629А Г =125 °С

2Т629А-2

Г = -60-С 2Т629А-2 Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/=100 МГц) Время рассасывания, не

Время включения*, не

Время выключения*, не

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/= = 30 МГц), ис Емкость коллекторного перехода (/=10 МГц), иф;

2Т629А-2

КТ629А Емкость перехода нФ:

2Т629А-2

КТ629А Обратный ток коллектора, мкА;

Г = 25 С

Г=125°С 2Т629А-2 Г = -60 С 2Т629А-2 Обратный ток коллектор - эмиттер (Re = = I кОм). мкА Обратный ток эмиттера. мкЛ

эмиттерного (/=10 МГц).

КЭО гр

КЭ нас

50 40

0.8 1

БЭ нас

1 . 5 1.2

121Э

25 25 25 10 2.5

60 150 150 80

(1,2)

(5) (1.2) (1,2) 5

рас вкл

90 50

выкл

(10)

(10)

20 25

100 120

(50)

(0,01)

(0,5) (0.2) (0.5) (0,5) 0,05

0,5 0,5 0.5 (0.05)

0,05 0,05

0,05 0,05 0,05



рдельиыс эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмнттер (ЯсэО кОм)......

Постоянное напряжение коллектор - база Постоянное напряжение база - эмиттер Постоянный ток коллектора .... Постояшгая рассеиваемая мощность коллектора :

f=60--f80°C ....

r=!25°C 2Т629А-2.....[

Температура перехода.....

Тепловое сопротивление переход - корпус

микросхемы.........

Температура окружающей среды

50 В 50 В 4.5 В 1 А

1 Вт

0,18 Вт 135 °С

55С/Вт -60- -f 125 °С

1 В диапазоне температур 80-125 С Як max [Вт] с/1ижается по линейному закону.

2.0 .О 12 0,8 О.Ч

гтвгэя-2 к тб2ая

ВЭЯ npablhJX про!

1.П------

10 0,3

о, в

0.1 о г 0,3 U.J,в

ггегзяг, ктегзя

----

\ \,

10 10 10 RjfiM

ftSaac,

1,г Ю

0,8 0,1

2ГБгЭЯ-2, J

втвгзя /

x/ieio

2 0.4 О.Б

12 1,0

0,8 0,6 O.i 0.2 О

2ТВ23Я-2,

А гвгэя

1н 0, 5 Я

-so -20 20 SO Т,С



г.о 16

1Л 0.6. 0,t

гтбгзл-2,

к г623я

о,г 0,t 0,6

Inllg -- 10 Iff = 0,5 Л

0.8 0,6

so -го га so т,с

213

2 твгзяг, ктвгзя

<

5 = .

0,2 o.t 0,6 Ij,fl


120 100

У2ТБ29Я1 ЯГ529Л

.....у

%--0,5Я

-60 -20 2 0 60 Т.С

О 5 10 15 Щв.В

frp, МГц 600

гтв2эя-г,

UTS 29 я

58

=

100 гоо 300



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 [ 114 ] 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184