Главная
>
Приборы мощных транзисторов Параметр Буквеииое обозначение Значенне Режим измр;;;;;- < напряжение, Граничное В 2Т6Э2А-2 КТ629А Напряжение насыщения коллектор - эмнттер, В: 2Т629А-2 КТ629А Напряжение насыщеиня база - эмиттер. В: 2Т629А-2 К-Т629А Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ; Г = 25 °С 2Т629А.2 КТ629А Г =125 °С 2Т629А-2 Г = -60-С 2Т629А-2 Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/=100 МГц) Время рассасывания, не Время включения*, не Время выключения*, не Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/= = 30 МГц), ис Емкость коллекторного перехода (/=10 МГц), иф; 2Т629А-2 КТ629А Емкость перехода нФ: 2Т629А-2 КТ629А Обратный ток коллектора, мкА; Г = 25 С Г=125°С 2Т629А-2 Г = -60 С 2Т629А-2 Обратный ток коллектор - эмиттер (Re = = I кОм). мкА Обратный ток эмиттера. мкЛ эмиттерного (/=10 МГц).
(0,01) (0,5) (0.2) (0.5) (0,5) 0,05 0,5 0,5 0.5 (0.05) 0,05 0,05 0,05 0,05 0,05 рдельиыс эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор - эмнттер (ЯсэО кОм)...... Постоянное напряжение коллектор - база Постоянное напряжение база - эмиттер Постоянный ток коллектора .... Постояшгая рассеиваемая мощность коллектора : f=60--f80°C .... r=!25°C 2Т629А-2.....[ Температура перехода..... Тепловое сопротивление переход - корпус микросхемы......... Температура окружающей среды 50 В 50 В 4.5 В 1 А 1 Вт 0,18 Вт 135 °С 55С/Вт -60- -f 125 °С 1 В диапазоне температур 80-125 С Як max [Вт] с/1ижается по линейному закону. 2.0 .О 12 0,8 О.Ч
ВЭЯ npablhJX про! 1.П------ 10 0,3 о, в 0.1 о г 0,3 U.J,в
10 10 10 RjfiM ftSaac, 1,г Ю 0,8 0,1
2 0.4 О.Б 12 1,0 0,8 0,6 O.i 0.2 О
-so -20 20 SO Т,С г.о 16 1Л 0.6. 0,t
о,г 0,t 0,6
0.8 0,6 so -го га so т,с 213
120 100
-60 -20 2 0 60 Т.С О 5 10 15 Щв.В frp, МГц 600
100 гоо 300
|