Главная
>
Приборы мощных транзисторов ш зав
О 10 20 IfKj.B го 16 10 20 30 Un,i 100 80 60 40 20 О
/ г КТ639А-КТ639Д Транзисторы кремниеиые эпитаксиальпо-плаиариые р-п-р уннвср-сальиыс. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях различного назначения, устройствах автомобильной электроники, импульсных и переключающих схемах, 1) оконечных устройствах ЭВМ. Корпус пластмассовый с гибкими выводами. Масса транзистора пс бо.1се 1,0 г. Минимальное расстояние места паГжи выводов от корпуса 5 мм. емпсратура панки не более 250 С, время пайки ие более 10 с. Ми-1имальное расстояние от корпуса до места изгиба вывода 5 мм, ра-лиус изгиба 1,5-2 мм. При изгибе необходимо принимать меры, ключаю1цне передачу усилий на пластмассу. Кручение выводов запрещается. Зак. 223 Параметр Моту ль коэффициента перед 1ЧИ ток 1 иа высокой частоте (/ = 20 l п.) Гртнпчиоо напряжение, В КТЬЗ)А - К ЮЗОВ КГбЗОГ К1Ь39Д Статический коэ()фици-спт передачи тока в схеме О ? KIij39A КГбЗОГ КТЬЗОБ КТЬЗОД ктозпв Птпря/кспис иасып1,си11Я котлектор -эмиттер, В Напряжение иас1.1Дспил баз 1 ~ эмиттер. В Время рассасывания*, пс Гм кость коллекторного nepexoia (/-5-10 МГц), нФ Emkocti. эмиттерЕЮГо перехода* (/ = 5-10 МГц), п<1> Обратным ток коллектора, и А Обратный ток эмиттера, и А Ьукпоинос обозначе л НС Значение КЭО гр 1Э КЭ мае БЭ пас рас КБО ЭБО 4 т ЬО 10 25 JO* 63 25 30* I 00 40 45* 80 85* 120 125 1 20 1 00 0,5 1,25 100 I 00 (0,5) 30 (5) 500 500 300 I 50 1500 150 5 1500 ISO 5 I 500 50 50 50 Предельные эксплуатационные данные Посгояииое напряжение коллектор - база К1639Л - КТ639В...... 45 В КТ639Г, К1639Д , , , 60 В Постоянное напряжение jMHTTep - база . 5 В Постоянный ток колтектора . 1,5 Л Импульсный ток кол1сктора (ThSIO мкс, Q>2) . . . 2 А Постоянный тек базы...... 0,2 А 1 Вт Постоянная рассс1И!аемая мощность коллектора (-G0<7-< -f 35 °С) 2..... .пульсная рассеиваемая мощность (т 10 мкс, Q5=2. Г, =£25°) Тепловое сопротивление переход - корпус Тепловое сопротивление переход - среда Температура перехода . ... Температура окр>жающе11 среды . . 60 Вт 10°С/Вт 115°С/Вт 150 С -60 +125 °С , При условии нснрсвьииеиия Рк max- 2 При использовании транзистора без теплоотвода прн 7ь>35°С Рк..- [Вт1 = (150-Г) тп,с. h 60 50 30 zo ю
1x9 ас,в 0,2 o<t 0,6 at ВЗнас.В 14 0,4 О
1,0 I fl 0,6 0,4 Л., 300 250 200 150 ТОО 50
6 в 10Щв,в
|