27J 300

50 0

Г50 ItO

!за т

0,5 !,0 1,5 2,0 2 5I.fl

5 10 15 20 25Iff Mfl

60 50

to за

1 2 3 t 51fjij,B

150 ItO

150 0

1 г 3 t SL/jg,

КТ644А-КТ644Г

Тпанзисторы кремниевые эннтакснально-планарные р-п-р уннвер-иЫе- Предназначены для применения в усилителях низкой часто-уснлителях мощности, пнлеоуснлигелях различного назмачення, ,ц,(.ных и переключающих схемах, в оконечных устройствах

Корпус пластмассовый с гибкими выводами Масса транзистора е более 1,0 г.

Электрические параметры

60 В 5 В 0,Ь А

1,0 А

0,2 А

1,0 Вт

20 Вт 10 С/Вт 115°С/Вт 150 С -60 - +125

Прн условии неиревышеиня Як max

При нспользоваинн транзистора без теплоотвода при Г, >35°С

Рк т,х 1Вт] = {150-Г) ?1п с

Прн нснользованни транзистора с теплоотводом прн Г, >25°С Рк , ,. [Вт1 = {150-7- )/Ртп, к

Минимальное расстояние ме ста панки рывотов от корпуса 5 мм Температура пайки не более 250°С время пайки не более 10 с \\иннмальиос pjc стояние от корпуса до mcctj hi гиба вывода 5 мм, ради\с и< гиба 1,5-2 мм При изгибе не юбхо UI40 принимат[, меры ис ключаюнию передачу усилии h,i п 1астмасс\ Кручение ныно ю 3 HipemdcTcsi

,0 0.8

53.0m

20 IJ

06 05 Jt 03 01 01

0 2 Oh 0 6 Ot

100 200 300 too Ik,

Постояиное иапряжс1ч1е колтектор - база Постояниое напряжеине эмиттер - база Постоянный ток коллектора Имиульсный ток коллектора (ТпЮ мкс Q>2) . . . . .

Постоянный ток базы

Постоянная рассеиваемая мощность коллек тора (-60<Г<35°С)2 . .

Импульсная рассеиваемая мощность (ти<

10 чкс. Q5=2 Г <25 °С) 3 Тепловое соиротнплеиие переход-корпус Тепловое сопротивление перехот - среда . Температура перехода Температура окружающей среды