Главная >  Приборы мощных транзисторов 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 [ 119 ] 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184

Постоянным (прямой нли обратный) ток

базы . .

Импульсный (гфямон или ооратныи) ток

базы...........

Постоянная, средняя (за период не более 2 мс и т <;10~ с) рассеиваемая мощность копсктора с теплоотводом (от 7 -60°С

до Г.=е+30°С)...... , .

Постоянная, средняя (за период не более 2 мс) рассеиваемая мощность транзистора без теплоотвода (Г = -60+25 °С) . Импульсная рассеиваемая мощность коллектора (т ==:10-з с. /й£5 Гц, s£32 В.

запирающий ток базы не менее 0,1 А и от

Г5=-60°С до ГкйЗОТ).....

Тепловое сопротивление переход-корпус Тепловое сопротивление переход - среда

Температура перехода ......

Температура окружающей среды

0,6 А

1,0 Л

6 Вт 1,2 Вт

60 Вт 9 С/Вт 50 °С/Вт 85 °С от -60 С до Т или Г = 70С

1 Прн 7 >30С Рш.чх [Вт1 = (85-Т )/9.

2 При 7>25С Pmar [Вт] = (85- 7)/50.

3 При >32 В-, 7 >30Х и при /б >0Л А, т <10-з с,. / <5 Гц импульсная рассеиваемая мощность снижается линейно в соответствии с приведенными далее зависимостями, а прн 5 Гц-: s£/nlO Гц дополнительно снижается в соответствии с формулой

Рк, max (/)=Рк.м max (/<5 Гц) ( 1 - ° ), гдс Г - ПерИОД,


о.г 0,4 а,в а.

0,1 0,2 0,3 ОЛ U3S,B 365



213

50 40 30 20 W

1T90SA, ГТ305/Т, ГТ305Б

и з - WB

\2,з\ 12

10 8 6 Ч

ГТ305Б

f 20МГц

0,5 1,0 1,5 2,0

0,2 0,4 0,6 0,8

Iff.

S3 нас .

2,5 2,0 !,5 .О 0.5

1ТЭ05Я, ГТ905Л, ГТ9056

/

Ik ЗЯ

- гаС

0,1 0,4 0,6 0,8 Ц,Я

1 T305/I, ГГ905/г , <ГГ905 5

Т -23С


,0 0,8

0,6 0,4

0.2 О

17905л, Г 7905Я, Г 7905 Б

т --

5fl 7/7 С

0,2 0,4 0,6 0,8 Ig,fl

10 20 JO 40 50 If В

2.5 2,0 15 .О 0,5

7 Т905/1, Г Т905/1

Г & 5МКС

ГТ905Б

20 4 0 60 80



1Т906А, ГТ906А, ГТ906АМ

Транзисторы германиевые днффузионно-сплапные р-п-р переключательные. Предназначены для применения в преобразователях напряжения, переключающих и импульсных усилительных каскадах радиоэлектронных устройств.

Корпус металлостеклянный ()Т906А. ГТ906А) и металлопластмассовый (ГТ906АМ) с жесткими выводами. Масса транзисторов 1Т906А, ГТ906А ие более 4,5 г (с крепежным фланцем ие более 6 гК ГТ906АМ не более 7г.

2атбфЗ,г ГТ906АМ



2аг6 0 3,2

)J-=

1T906A, ГТ906А

Электрические параметры

Значсмне

Режим нзчеремия

Буквенное

Параметр

обозначение

Jt

<

<

<

Трап

напряжение.

1Т90е<\ (т < 50 мкс. Q > 2П00)

TTTOb./i. ГТ90ЙЛЛ\ (th!S 250 мкс, / = ]-2 Гц)

Напряжение насыщснни = 2-° ~ В

1Т90е\. ГТ906А, ГТ90САМ

Т--т С 1Г906А Т = 70°С IT906A

-КЭО гр

КЭ нас

0,5 I .0



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 [ 119 ] 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184