Главная
>
Приборы мощных транзисторов
-SO -20 20 50 Г. С О 0,1 0,2 0,3 Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба и пайки нывода не менее 3 мм. 2Т504А-5, 2Т504Б-5 /,5 (7,32 Транзисторы кремниевые плаиарные п-р-п переключательные Предназначены для применения в устронствах управления газрразряднымн панелями переменного тока, в вы соковольтных ключевых стабн-.1нзаторах напряжения и пре-образоватетяч Оформление бескорпусное с контактными нлощадкамн без кристаллодержателя, разделенные или неразделенные (на общей иластние) Л\асса транзистора ие более 0,002 г. аектрииеские параметры Параметр Гоагшшое иапряжен.ю (V< 300 мкс, Q>100),B 2Т504А 5 2Т504Б-5 Напряжение 1:асы1це1ШЯ котлектор - эмиттер. В Напряжение насыщения база - эмиттер,- В Статический коэффиин епт передачи тока в схе че ОЭ Г = 25 °С Г=125°Г r=-GO С Время вкиочення. мкс Время ВЫК110ЧСНИЯ мкс Время рассасывания , Граничная частота коэсЬ фнциента передачи тока в схеме ОЭ Ц = 5 МГц). МГц Емкость коллекторио! о перехода (/ = 50 МГц) пФ Емкость jMHTTepHoio перехода (/ = 300 кГц), пФ Обратный ток коллектора чкА Т-25 °С 2Т501А 5 2Т501Б 5 7= 125 °С 2TS0U 5 2Т50 Б 5 ток эмиттера. Обратный чкА
Предельные эксплуатационные данные коллектор - эмнт- Постоянное напряжение тер {БЭ =100 Ом)- 2Т504\ 5 . . . . 350 В 2Т504Б 5 200 В Постоянное напряжение коллектор - база: 2Т501А 5 . 400 В 2Т504Б 5 ........ 250 В Постоянное напряжение эмигтер - база . 6 В Постоянный ток коллектора 2 .... 1 А Импульсный ток коллектора 2 (ти<500 мкс, Q>2) . . ... 2 А Постоянный ток базы . . ... 0,5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Гп = -60- +25 °С): с теплоотводом . . . . без теплоотвода. . . Температура р-п перехода .... Температура окружающей среды 10 Вт 25 мВт 130 °С -СО - -f 125 V, При времени нарастания напряжения пе менее 0,5 мчс Без превышения значения постоянной рассеиваемой мош,1,остн При температуре подлои<ки от 25 до 125 °С для транзисторов с теплоотводом Ритах [Вт] -(150-Tu)/Rn.n, где Т - температура подложки, /?п, п - тепловое сопротивление переход - подложка, которое должно быть не более 12,5°С/Вт. * Прн тепловом сопротивлении переход - кристалл не более 5 °С/В г При монтаже транзисторов в микросхему нагрев кристалла ие должен превышать 420 °С 20 16 1Z В
OS 0,6 0,7 OS 30 25 10 5 О
ks пас 2,0
63 пас J 0,3 0,8 0,7 06
10 > I m/1
|