Главная >  Приборы мощных транзисторов 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 [ 125 ] 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184

Постоянное напряжение эмиттер - база-

rsg85°C . .

Г= 125°С 2Т607Л 4 ....

Постоянный ток коллектора

Te:S5°C . .

Г= 125Х 2Т607Л 4 Постоянная расссинаемая мощность коллек тора

Г, 40°С 2Т607А-4

Г, 50°С КТ607А-4, КТ607Б-4 Тепловое сопротивление переход микросхемы Температура перехода Температура корпуса микросхемы

2Т607\-4

К1607А-4, КГ607Б-4 . Температура окружающей среды 2Т607Л 4 ...

КГ607-\ 4, КТ607Б 4

корпус

150 мА 125 мА

1,5 Вт 1,5 Вт

73 С/Вт 150 °С

125 °С 85 °С

от -60 °С до 7 = 125 С от -50 °С до 7 = 85 X

Прн повышении температуры Рк тат [Вт] = (150 - 7 )/73

1 !.2 1,1

13 Л

0,3 0,8

ZT60T/> V, КТ607Я

- гов

- :<ом/>

1ГГц

2т 601А НТ 607/1

- *,

0,4 Вт - 1 ГГЦ

- /

12 16 20 24 28lf

1,1 10 0 9

0,1 0.6

213

27607/1-4, к Т607/7-4

- 208 Pg = 0.4 вт f 1ГГЦ

ZT 607/1-4

и 10 В

SO 100 150 f,i,M/l



Z г SOT я-*,

к т 607я - 9

(/j = we N,

у = ЮОМГц

150 1, мЯ

2T607n-tf ~~ f<T607n~

/ -- SM

2TffOT/r-f,

ОМ Гц

2Т607Я-ч iirsoi/i-1,

J ЮМГц

5 10 15 гп 25 и.

О 05 10 1,5 ZP и-

Крепление транзистора произподнтся приклеиванием или иаиай-кон. Максимально допустимая температура припоя не более 160 °С. Время напайки не более 3 с. Нажимное усилие на торце каждого нывода не должно превышать 400 г.

2Т6(0А, 2Т610Б, KT6I0A, КТ610Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усилительные. Предназначены для применения в линейны.х усилителях мощности и напряжения.

Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтажным винтом. Масса транзистора пе более 2 г 20 Ib.7




Параметр

Буквенное обозначение

Значение

а> о

X = S

о а: га

Режим измерения

< к

выходная мощность (f = 400 МГц). Вт: 2Т610Б

Коэффициент усиления по мошности tf = 400 МГц): 2Т610Б

Коэффициент полезного действия коллектора (! = = 400 МГц). %: 2Т610Б

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:

2T6I0A

2Т610Б

KT6I0A

КТбЮБ

Неравномерность коэффициента передачи тока в схеме ОЭ (в режиме малого сигнала):

2Т5ЮА, КТ610Б Модуль коэффициента передачи тока (/=100 МГц):

2Т610А, KT6I0A

2Т610Б, КТ610Б

Коэффициент шума (f= = 2-200 МГц), дБ Постоянная времени цепи обратной связи по высокой частоте (f = 30 МГц), пс:

2T6iOA

2Т610Б

KT6I0A

ктеюБ

Граничное напряжение, В

Емкость коллекторного перехода (/=10 МГц), пФ-

2T6I0A, 2Т0ШБ

КТ610А, КТ610Б ьмкость эмиттерного перехода (/=10 МГц), пФ Обратный ток коллектора,

Г = 25 С

Г кт610а, КТ610Б

ОбпТ ; TC10A, 2Т610Б Г=25 °с ера. мА:

Hh J°* 2Т610А, 2Т610Б

З Зак.

Ку р

213

50 20 50 20

150* 60*

250 250 300 300

21э max

21э min

Л21э

2, 3

12* И*

16* 15*

КЭ гр

3 21 8

20* 7,5*

35 18 55 22 30*

2.7 2 16

3,2* 17>-

4,1 4. 1

0,08*

0,5 5

0,01*

1 ,28

0. 1

2,38

I 2, 6 12,6

12.6 (10)

(10)

10 10

0,03-0,27

0. 15

0,03 0,03

О, 05



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 [ 125 ] 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184