Главная >  Приборы мощных транзисторов 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 [ 126 ] 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184

гГб1а/1,кгб!0/1. гтеюБ.ктбЮБ

1 1

/ --tanМГц,

го 40 во so Pi,mBt


12 IB iBVhb.B

150T


2ТБ10Я, 1

ZTSIOB,

MTBtoB

tO 60 во Р мВг О 50 ГОО 150 200 ZSOl,

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (РбэЮО Ом)....... 26 В

Постояниое напряжение эмиттер - база 4 g

Постоянный ток коллектора .... О 3 А

Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (Т <50°С) .... 1,5 Вт Тепловое сопротивление переход - корпус 65 С/Вт

Температура перехода...... 150 °С

Температура корпуса:

2Т610А, 2Т610Б....... 125°С

КТ610А, КТ610Б....... 85 °С

Температура окружающей среды:

2Т610А, 2Т610Б.......от-60 °С до

Гк=125>С

КТ610А, КТ610Б.......от -45 °С до

Гк = 85С

При Тк>50°С Р , ершах [Вт] = (150 -Гк)/65.




e ПС

30 25 20 15 10

f - ЗОМГц

гтБЮА ВТ810я

ZTBWB, KTBWB

20 -

2 TBia/i, ктеюя,

ZTBIOB,

к Г 61 а в

f = 10МГц

<0 If,Б,в

12 16 2aUifg,&

2Т624А-2, 2T624AJVI-2, КТ624А-2, КТ624АМ-2

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п импульсные. Предназначены для работы в импульсных устройствах, в устройствах памяти ЭВМ в герметизированной аппаратуре.

Бескорпусные, с защитным покрытием н гибкими выводами. Тран-нсторы 2Т&24А-2, КТ624А-2 изготавливают на керамическом кри-(/олержателе размером 1,9X1,9 мм, транзисторы 2Т624АМ-2, Ь24АМ-2 на металлическом крнсталлодержателе размером ЗХ А1 мм. Масса транзисторов 2Т624А-2, КТ624А-2 не более 0,015 г, санзисторов 2Т624АМ-2 КТ624АМ.2 не более О 04 г.




Электрические параметры

Параметр

Буквенное обозначение

Значение

Режнм измерения

Граничное иапряжение (ТиЗО мкс Q>50), В Напряжение насыщения коллектор ~ эмнттер, В. 2Т624А 2, 2Т624ЛМ-2 КТЬ24А-1, КГ624АМ-2 Нанряженне насыщения база - эмиттер. В С1атический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ

Модуль коэфф1щнента передачи тока на высокой частоте (/=100 МГц) Время рассасывания, ис: 2Т624А-2, 2Т624АМ-2 2Т624А-2, КТ624АМ-2 Емкость коллекторного перехода (/=10 МГц), пф

Емкость эмиттерного перехода (/=10 МГц), пФ Обратный ток коллектора. мк\.

Г=/.п1п и 25 °С

Тк = Тк max Обратный ток коллектор - эмиттер (/?63 = 0) мкА.

Г = -60 и +25 °С

2Т624А-2, 2Т624А.М-2

Г =125С

21624А-2, 2Т624АМ-2 Обратный ток эмиттера, мкА-

Г = Гт1п и 25 °С

Гк=125С

2Т624А-2, 2Т624АМ-2

КЭО гр <КЭ нас

БЭ нас 21Э

[ гхэ!

КБО КЭК

0,58*

0 ,58*

1 , 05

6* 7*

0,62* 0,62* I ,2*

70* 9,7*

1 1 *

7,2*

О, 87 О, 9 1 ,7

15 18 15

100 1000

200 1 200

1 00

(30) (20)

30 20

30 1000

1000

I 00

100 100

100 100



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 [ 126 ] 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184