Главная
>
Приборы мощных транзисторов Параметр Буквенное обозначение Значение
Граничное напряжение, В Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В Напряжение насыщения база - эмнттер*, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Г=25 °С Г=125°С 2Т633А Г = -60°С 2TG33A Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ, МГц Время рассасывания, не Время включения*, не Время выключения*, ис Емкость коллекторного перехода (/=10МГц),пФ Емкость эмиттерного перехода (/=10 МГц), нФ Коэффициент шума (f = -20 МГц), дБ Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (f = = 5 МГц), НС Обратный ток коллектора, мкА: Г = 25 °С Г=12б°С 2Т6.33А Г = -60 С 2Т633А Обратный ток эмиттера, мкА: Г = 25 -С Т=!25°С 2Т6,ЗЗА Г = -60 °С 2Т633А Обратный ток коллектор - эмиттер, мкА КЭО гр кЭнас бэ нас / 213 рас внл выкл С КБО ЭБО О, 15* О, 79* 40 40 20 500 3* 8 4* 5 0,3* 0.85* 600 3,3* о, 09* 0,01 0,09 0,5 1,5 140 280 140 950* 13 12 18 4,5 25 8 50 1 50 1 (10) (5) (10) (30) 1.5 1,5 (10) 100 100 (10) 10 10 10 Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор - база. Постоянное напряжение эмиттер - база Постоянный ток коллектора .... Импульсный ток коллектора (ти<10 мкс. Q>50) Постоянный ток базы 30 В 4,5 В 0,2 А 0,5 А 0.12 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: без теплоотвода 2Т633А Т = -60-Н + 25°С 0,36 Вт Т = 125°С .... 0,072 Вт КТ633А Т = -45-f25°C 0,36 Вт Г = 85°С..... 0,187 Вт с теплоотводом 2Т633А Тк = -60 + 25 °С 1,2 Вт 7 =125°С .... 0,24 Вт КТ633А 7н = -45 + 25°С 1,2 Вт Тк = 85°С .... 0,625 Вт Импульсная рассеиваемая мощность (т 10 мкс, Q>50, Т = Гт1п -50С) 7,2 Вт Температура перехода ...... 150°С Тепловое сопротивление переход - окружающая среда......... 347,22 °С/Вт Тепловое сопротивление переход - корпус 104,17С/Вт Температура окружающей среды: 2Т633А......... -60Н-+125°С КТ633А ......... -45 ~ +85°С При 25°С<Т:с;Гк max (Гтах) Рк max (Вт] = [7 -Т (7) ] / Rr в, к (?Т п. с). Рк, и max [Вт] В интервале температур от 25 °С до Tmai снижается линейно на 5,7 мВтуС. Допустимый статический потенциал не более 1000 В. 213 60 30
63 нас,в 13 100 200 300 1,./4/1 ,2 V Ю 0,3 0.8 ОЛ
о го iff 60 1е,мд ВО 50 40 JO
0,B 0,5 0,4 0,3 0,2 0.1 0
20 4 0 60 lMfl o.sv 0,5 0,4 0,1 0.1 0
JOO 200 300 Ik.m/I
4 8 It Щ,В 200 ISO 80 40
iz ir, ,e
|