Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-орцые. Предназначены для применения в усилителях мощности, ожнтелях частоты и автогенераторах на частотах до 3 ГГц прн д,ряжении питания 20 В в герметнзированиой аппаратуре.
Корпус металлокерамический с гибкими полосковыми выводами, дасса транзистора не более 0,15 г.
м h-
16,г
Электрические параметры
Значение
Режим измерения
Буквенное
ё з:
Параметр
оОозначе-
<и о
X и x
<
£
Выходная мощность (f =
0 , 5
1.0*
0, 1
=3 ГГц. медианное значе-
ние). Вт
Коэффициент усиления по
5,0*
0, 1
мощности (/ = 3 ГГц,
Рвых=0.5 Вт)
СтатнчсскнП коэффициент
2 1Э
0,05
передачи тока в схеме ОЭ
Модуль коэффициента пере-
2 1Э
0. 1
дачи тока на высокой ча-
стоте (/ = 300 МГц) Критический ток коллектора (/=300 МГц). А
0,45
0,6*
Постоянная времени цепи
0,7*
1.0*
0, 03
ратной связи на высокой
частоте (/=1(ю МГц), пс
ьмкость коллекторного перевода, пФ
2,4*
2,7*
кость эмиттерного перевода, пф
10.5*
12,5*
Полное входное сопротивле--9т = 3 ГГц, Р = -200 МВт), Ом
0, I
-f/15
Значение
Режим
llfPeH .
Буквенное
и 0 S л
Параметр
обозначение
л га
0 а О
m из
<
Обратный ток коллектора, мА
Г = 25 °С
Г=125 °С
0, I 1,0
Обратный ток эмиттера, мА; Г = 25 С Г=125°С
0, 1 1 ,0
Индуктивность вывода эмит-
тера*, нГи
Иидуктивиость вывода кол-
лектора*, иГн
Индуктивность вывода ба-зы*, нГи
0,112
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор - база 30 В
Постоянное напряжение эмнттер - база . 2,5 В
Постоянный ток коллектора . , . , 0,2 А
Импульсный ток коллектора (ТнЮ мкс,
<350).......... 0,3 А
Постоянный ток базы...... 0,1 А
Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (/800 МГц, Т <25°С) 2 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность
(т <10 мкс, Q>50, Т <25°С)2 ... 2,5 Вт
Тепловое сопротивление переход - корпус
микросхемы......... 62,5 °С/Вт
Температура перехода...... 150 °С
Температура корпуса...... 100 °С
Температура окружающей среды . , от -60°С до
Г =100С
При Г >26°С Рк, ортах [Вт] = (15а-7,0 / 62,5, 2 При Гк>25°С Ркитах [Вт] =(150 -Г )/83,3.