г, О !.з

1,5 Л 1,2

50 то 150 200 Pg.MSr

-Г; пс

8В,В

О г 4 Б 8 V

2& .

10 8

4 О -4 -8

-12 -IB

2TB31fl-2

Z 2,2 2,4 2,6 2,8 /,ГГц

2 2,2 2,4 2.6 2.8f,riM

При монтаже и паГже транзистора допускается температура не 200 °С в течение времени не более 3 с с усилием прижима 5 Н. гГйка выводов эмиттера и коллектора допускается на расстоянии менее 3 мм от керамического основания в течение времени ие бо-3 с. Допускается ироизподить пайку на расстоянии не менее tMM от керамического основания при температуре в месте пайки 900 °С в течение времени не более 1 с.

2Т643А-2, КТ643А-2

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера торные. Предназначены для применения в усилителях мощности имножнтелях частоты и автогенераторах на частотах 2-8 ГГц прг напряжении питания 15 В в герметизированной аппаратуре. Выпу скаются на мсталлокерамическом держателе с гибкими полоско выми выводами. Обозначение типа приводится на держателе марки ровкой синей точкой (одна для 2Т643А-2 и две для КТ643А-2). Мае са транзистора не более 0,2 г.

Точка I маркиродачпая

Электрические параметры

Параметр

Буквенное обозиаче-кие

Значение

Выходная мощное-- (f = ~/Гц). Вт

!°** Циеит усилении О мощности (f = 7 ГГц, = 200 МВт) Раничная частота коэф-;1 ента передачи тока.

вых frp

500 2 , 5

5,2* 4,5

О, 14

550*

Режим измерения

к

0,09 0,09

0,05 0,13

Параметр

Фаза коэффициента передачи тока иа высокой частоте (/ = 1 ГГц), градус

Модуль коэффициента обратной передачи напряжения (f=IOO МГц) Постоянная времени цени обратной связи на высокой частоте*, пс Емкость коллекторного иеречода (/= 10 МГц), иФ

Емкость эмиттерного перехода (/=10 МГц), нФ Обратный ток коллектора. мА-

Г = 2.5 °С

Т=125 °С Обратный ток эмиттера, иА-

Т = 25 °С

Г=125 °С Индуктивность эмиттерного вывода (внутренняя)*, иГн

Индуктивность коллек торного вывода (внутренняя)*, нГи Индуктивность базового вывода (внутренняя)*, нГи

Емкость эмиттер - корпус , пФ

Емкость коллектор - корпус , пф

О-ончанн, ;1? меренн,

0,05 0,13

25 (3)

0,05 0,05

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - база 25 В Постоянное напряжение эмиттер - база , 3 В Постоянный ток коллектора .... 0,12 А Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме у к 50 °С..... 1.1 Вт

Тепловое сопротивление переход-корпус 90°С/Вт

Температура перехода...... 150 °С

Температура корпуса 2Т643А-2 ... 125 °С

Температура окружающей среды ... от -60°Сдо

7 = 125 °С

При Г >50°С Рктах (Вт1 = (150-Г )/90.