Главная
>
Приборы мощных транзисторов 00 SOB 0 - !
т гоо
70 мВт 60 500 50 400 40 300 30 гоо го /00 20 (7 60 80 Рдц.мВт 20 10 100 200 300 Psj MBr
20 40 60 80 Pj)(,mBt 50 40 20 w о 1,2 1,0 0,в 0.6 0,4 о.г о
гр.ГГц 8
о 40 80 120 ISO /д-, мД Ю Ofi 0,1 О
3.0 2,5 2,0 40 80 120 160 1,1,мЯ
4 8 П 16 l/fB С, 0,004nP (и 5 в) Ч-700М дал АИ 0,11x(0,5В) 6л . 01 0,ZnV 24пР 0,15 a,3nv 0,5 ПГП 0,ЗпФ Монтаж транзисторов осуществляется припайкой металлизированного основания держателя к теплоотводу прн 7 <150°С. Пайка выводов производится на расстоянии не менее 2 мм от держателя при Г260С. Допускается пайка выводов иа расстоянии до 0,5 мм от держателя при 7150 С в течение времени не более 3 с. Допускается использование транзисторов в диапазоне частот J0 МГц -2 ГГц в усилителях и генераторах мощности при напряжении питания не более 10 в. 2Т652А-2 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарныи п-р-п переключающий. Предназначен для работы в переключающих и усилительных устройствах герметизированной аппаратуры. Бескорпусиые, на керамической подложке, с защитным покрытием и гибкими выводами. Выпускаются в таре, позволяющей производить измерение электрических параметров. Масса транзистора не более 0,015 г. электрические параметры Параметр Буквенное обозиаче-ине Значение Режим измерения ю и:
Граничное напряжение (Тя 30 мкс, Q. 50), В Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В Напряжение насыщения база - эмнттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ, МГц Время рассасывания, ис Емкость коллекторного пехода (f=10 МГц), Емкость эмиттерного перехода (/==10 МГц), пФ бpaтный ток коллектора. мкА: Jr- J+25 C Обратный ток эмиттера.
|