1 Вт

0,25 Вт 0,5 Вт

1,5 Вт 150°С -60 4- -fl25 С

1 При Тк>50°С Як шах снижается лниейно иа 10 мВт/°С.

2 При Г>бО°С Рк max снижается на 4 мВтЛС

При Тк>50°С Рк, и max снижается линейно иа 15 мВт/°С

40 J2 24 16

о,г 0,4 0,6 0,8 if,;,B

frp, МГи,

800 €00

2/3

50 40 30 20 10

zoo 400 600 1,(,мЛ

О 200 400 600 Iff.Mfl

го 16

12 В

5 10 15 Щб

45 В 4 В

Постояниое напряжение коллектор - база Постоянное напряжение коллектор - эмит

тер (/?бэ<500 Ом)......

Постояиное напряжение эмиттер - база Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора (Тн5 мкс,

Q>iO) ......

Постоянная рассеиваемая мощность коллек тора-

с теплоотводом Тк = -60 +50°С Гк = !25°С . . .

без теплоотвода 7 = -60- +50 С Импульсная рассеиваемая мощность коллек тораз (т 5мкс, Q30, Т = -60-+50°С)

Температура перехода .....

Температура окружающей среды

во so

0,5 1,0 1,5 Vg,B

1,1 10 0,9 0,8

0 hlh

КЗнас>В IZ

0,8 0,1 0,4

ЧнЗнасВ 0,5

10 10 I/Ig

ZOO Ц00 BOO 1ц,м/!

кЭтс-,0 0.6

If Б} пас, В

0>3

0.Z Ш

-60 -20 20 SO Т,в

1.2 1,1 1.0 0,3 0,8 0,7

о 200 т 600 1,мд

10 10 10f W8gj,0M

10

Монтаж транзисторов осуществляется следующим образом. Острым режущим предметом, например скальпелем, отрезать выводы от сварных точек тары. Нанести иглой на монтажную площадку платы каплю теплопроводящего клея ЭЧТ ЫУ0.028.0б(2 ТУ. Взять пинцетом транзистор, поместить его на клей и осторожно прижать по периметру керамического держателя (прижимающее усилие ие должно превышать 5 Н) к плате и сушить при температуре 145 °С в течение 45 мин. Сварка выводов допускается не ближе 2 мм от места выхода вывода из защитного покрытия.

2Т904А, КТ904А, КТ904Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах иа частотах 100-400 МГц при напряжении питания 28 В,

Корпус металлокерамический с жесткими выводами и монтажным винтом. Масса транзистора не более 6 г.