Главная
>
Приборы мощных транзисторов Электрические параметры
Параметр Буквеииое обозначение Окоичанир Значение Режнм измерения < it: Емкость коллекторного перехода (/ = 5 МГц), нФ Емкость эмиттерного перехода (/=5 МГц)*, нФ Обратный ток коллектора, мА: Г=25 -С 2Т9ПА, 2Т9ПБ KT91IA, КТ911Б КТ911В, КТ911Г Г = 85 С КТ911А. КТ911В KT9I1B, КТ911Г Г =125 С 2Т911А. 2Т911Б Обратный ток эмиттера, 2Т911А, 2Т911Б КТ911А. КТ911Б, КТ911В, КТ911Г (28) (55) (55) (40) (55) (40) (55) 3 база Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор - база 2Т911А, 2Т9ПБ, КТ911А, КТ911Б КТ911В, КТ911Г . . . Постоянное напряжение коллектор - эмит тер (/?оэ<100 Ом): 2Т911А, 2Т9ПБ, КТ911А, КТ911Б КТ9ПВ. КТ911Г . . , . Постоянное напряжение эмиттер Постоянный ток коллектора Средняя рассеиваемая мощность в динами ческом режиме-Г 50°С1 2Т9ПА, 2Т911Б . , 7- <25 С КТ9ПА, КТ9ПБ, КТ9ПВ КТЭИГ......... Тепловое сопротивление переход - корпус Температура перехода: 2Т911А, 2Т9ПБ..... КТ9ИА, КТ911Б. КТ911В. КТ911Г Температура корпуса: 2Т911А. 2Т911Б..... КТ911А. КТ911Б, КТ9ПВ, КТ911Г Температура окружающей среды; 2Т911А, 2Т9ПБ..... КТ911А, КТ911Б, КТ911В. КТ911Г 55 В 40 В 40 В 30 В 3 В 400 мА 3 Вт 3 Вт 33 С/Вт 150 120 125 С 85 °С от -60 °С до Г = 125 °С от -40 °С до Тк = 85 С При -Г )/33. большей температуре Рк, epm r [Вт] = (7 - 0,1 0,Z O.J 0,t Pg Br S W 15 20 U 3,B Рьш, Вт 1,5 1.2 0,9
S 10 15 20 Uk3,B 0,6 1,0 I.Z 1.4 1.0/, ГГц 5 10 15 20 If В
50 100 150 2а0Ц,м/1 427
|