Главная
>
Приборы мощных транзисторов 100 80 60
250 200 150 100 SO 0
60 20 20 60 T L
0 2 и 6 U sB 10 , 1э,/иа 10
lOLi.if
10 Rj,Om о Ct 08 /,2 4,/ Допустимое зиачеине статического электричества составляет I кВ 2Т704А, 2Т704Б, КТ704А-КТ704В Транзисторы кремниевые ысзапланарные п-р п импупьсныЗйЛ-назначены для работы в импульсных модуляторах Корпус металтоксрамическнй с жесткими выводами и винтом. Масса транзистора не более 20 г Г При конструировании следует учитывагь возможность Самовоз--буждения транзистора за счет паразитных связен Транзисторы крепят к ланели гайками. Осевое усилие на jjiiHT должно быть не более 120 кг Пайка выводов допускается j>awo-янни не менее 2 мм от корпуса транзистора За температуру корпуса принимается температура обей, тонки ocHOBaiHiH прибора диаме[ром не более 13 мм со стороны.сщоной поверхности Электрические параметры
Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (/?бэ=10 Ом или смещение 1,5 В): Г = 10-+80°С 2T704A, КТ704А 2Т704Б, КТ704Б, КТ704В..... Импульсное напряжение коллектор - эмиттер {/?г =10 Ом или смещение 1,5 В, Тн== = 1 - 10 мс, ТфЮ мкс, Q50 и Ти: :1 мс, ТфЮ мкс, QIO): Т = -40-+80°С 2Т704А, КТ704А 2Т704Б, КТ704Б КТ704В . . 7- = -60 - +100°С 2Т704А 2Т704Б . . Постоянное напряжение база - эмиттер Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора (Ти=10 мс, Q>2) ......... Постоянный ток базы..... Постоянная рассеиваемая мощность коллек тора 3 Гк = -60--f50°C 2Т704А, 2Т704Б . Г = -45 -f 50 С КТ704А - КТ704В Температура перехода .... 500 В 400 В 1000 в 700 В 500 В 700 В 500 В 4 В 2,5 А 4 А 2 А 15 Вт 15 Вт 125 С
|