Главная
>
Приборы мощных транзисторов
5 W 15 го Z5 lfffj,B
1оа zoo 300 ц,мя Сп/С(1/кв30В)
Сз,пФ 30 о 4 8 1Z IB Щд,В ZS Z0 15 10 5
2 5,5 Запрещается при установке транзистора на теплоотвод скручивающие усилия прикладывать к пластмассовой части корпуса. Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть ие менее 2,5. Неплоскостиость контактной поверхности теплоотвода должна быть не более 0,03 мм. Допускается пайка выводов на расстоянии ие менее 2 мм от корпуса по методике, ие приводящей к нарушению конструкции транзисторов. Пайку проводить паяльником при температуре ие более 260 °С в течение не более 6 с. Необходимо осуществлять теплоотвод между корпусом и местом пайки. 2Т913А-2Т913В, КТ913А-КТ913В Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах иа частотах 200-1000 МГц прн напряжении питания 28 В. Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтажным винтом. Масса транзистора не более 1,6 г. Электрические параметры Параметр Буквенное обозначение Значение Режим иэмереиня t5 m Выходная мощность {f = = 1 ГГц), Вт; 2Т913А, КТ913А 2Т913Б, КТ913Б 2T9I3B. КТ913В Коэффициент усиления по мощности (/=1 ГГц); 2T9I3A (Явы1 = 3 Вт) КТ913А (Рвы1 = 3 Вт) 2Т913Б (Р,ь,х = 5 Вт) КТ913Б (/,ых = 5 Вт) KT9I3B (Рвы1=.10 Вт) КТ913В (Явы1 = 10 Бт) Коэффициент полезного действия коллектора (f-i ГГц), 2Т913А. KT9I3A (Рвых = = 3 Вт) 2Т913Б, КТ913Б (Р,ьг1 = = 5 Вт) 2Т913В, КТ913В (Рвы1 = = 10 Вт) Модуль коэффициента пере--Дачн тока иа высокой частоте (/=100 МГц): 2Т913А, КТ913А КТ9?зв Напряжение насыщения коллектор - эмнттер*. В апряжение насыщения ба-р - Эмиттер*. В Раничное иапряженне коллектор эмиттер*, В <f-,l\i коллектора = 100 МГц). А- 2:Г913А. КТЭ.ЗА 2Т913Б. КТ913Б -Л913В913В
10 10 0,2 0,4 0,25 (0,03) 0,25 (0,03> 0,075 Параметр Буквеииое обозиаче- Значенне Режим измерения < и: Постоянная времени цепи обратной связи иа высокой частоте (/=30 МГц), пс: 2Т913А КТ913А 2Т913Б. 2Т913В КТ913Б, КТ913В Емкость коллекторного перехода (/=10 МГц), пФ: 2Т913А КТ913А 2Т913Б КТ913Б 2Т913В КТ913В Емкость эмиттерного перехода (/=10 МГц), пФ; 2Т913А КТ913А 2Т913Б. 2T9I3B КТ913Б, КТ913В Полное входное сопротивление (/=1 ГГц). Ом: 2Т913А (Рвы1=3 Вт) 2Т913Б (Рвы1 = 5 Вт) 2Т913В (Рвы1 = 10 Вт) Обратный ток коллектор - эмиттер ( 63 = 10 Ом), мА: 2T9I3A КТ913А 2Т913Б. 2Т913В КТ913Б, КТ913В Обратный ток эмиттера, мА: 2T913A. 2Т913Б. 2Т913В КТ913А, КТ913Б, КТ913В Индуктивность эмиттерного вывода при заземлении обоих выводов (у основания вывода)*, нГн: 2Т913А, КТ913А 2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б, КТ913В Индуктивность коллекторного вывода (/=3 мм)*, иГк Индуктивность базового вывода ((=3 мм)*, иГи: 2T9I3A, КТ913А 2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б, КТ913В Емкость коллектор - эмиттер*, пФ: 2Т913А, КТ913А 2Т913Б, 2Т913Б 2Т913В, КТ913В
.+ 2V -1-/14 4,4* 0,5< 0.7 0,55 О, 25 1 ,95 3 2.5 0,7 1.5 1.5 60 75 120 150 1.0 1,5 (28) 0.05
|