Главная
>
Приборы мощных транзисторов 1.0 1.S 2,0 Psy,BT в 6 k
25 Uffj.B Постоянное напряжение коллектор - эмигтер ( 6,10 Ом)....... 55 В Импульсное напряжение коллектор -эмиттер Ом)....... 55 В Постоянное напряжение эмиттер - база 3,5 В Постоянный ток коллектора: 0ТЧ13-\, КТ913А....... 0,5 А 2Т913Б. 2Т913Б, 2Т913В, КТ913В . . 1,0 А Импульсный ток коллектора: 2Т913Л, КТ913А....... 1,0 А 2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В, KT913iB . . 2,0 А Постоянный ток базы: 2Т913А, КТ913А....... 0,25 А 2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В, КТ913В . . 0,5 А Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме: 7- й£55°С2 2Т913А, КТ913А . . . . 4,7 Вт 7 <70С2 2Т913Б, КТ913Б .... 8 Вт Г <25°С2 2Т913В, КТ913В .... 12 Вт Тепловое сопротивление переход - корпус: 2Т913А, КТ913А....... 20°С/Вт 2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В, КТ913В . . 10°С/Вт Температура перехода...... 150 °С Температура корпуса: 2Т913А-2Т913В....... 125 °С КТ913Л -КТ913В...... 85 °С Температура окружающей среды: 2Т913Л, 2Т913Б, 2Т913В..... от-бОТдо Т =125°С КТ913Л, КТ913Б, КТ913В .... от -45°С до Г = 85°С В диапазоне температур 25 °С-7окр min снижается лииейио до 45 В, Для 7к>55°С (2Т913А, КТ913А), Г >70°С (2Т913Б, КТ913Б) 7 >2б°С (2Т913В, КТ913В) Рк.сртах [Вт] = (150- -п) / fir и. ц. го.ог 17,5 15,0 12,5 10,0 7.5 5,0
О 0,h 0,8 1,2 I.fl
О 0,2 0,4 0,8 Г .Пй 10 20 за 40 Щз,в о 50 100 150 Ij.mB 10 20 30 lf,fS,B 100 80 60 40 20 О
При присоединении (пайке) выводов температура корпуса в любой его точке не должна превышать 85 °С. Изгиб и обрезание выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса. 2Т916А, КТ916А Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Предиазиачены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах иа частотах 200-1000 МГц при напряжении питания 28 В. Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтажным винтом. Масса транзистора не более (2 г. Электрические параметры Параметр Буквеииое обозиаче-иие Значение Режим измерения < Выходная мощность (f= = 1 ГГц), Вт Коэффициент усиления по мощности (f=l ГГц, Рвы1=20 Вт) Коэффициент полезного действия коллектора (/=1 ГГц, Рвы1=20 Вт). % Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ* Напряжение насыщения коллектор - эмиттер*. В Напряжение иасыщення ба-за - эмнттер*. В коэффициента пере- - (иТоГлГгцГ вЫх Кур 213 КЭ иас БЭнас 20 2.25 2,5 35 0,2 0,98 14* 60< 0.4 1 ,0 0,25 0,25 0,25 0,03 0,03
|