Главная
>
Приборы мощных транзисторов Параметр Буквенное обозначение (а го 15 m к Постоянная времени цепн обратной связи на высокой частоте (/=30 МГц), не Емкость коллекторного перехода, пФ Емкость эмиттерного перехода*. пФ Полное входное сопротивление (f = l ГГц, Ръа.х= = 20 Вт)*, Ом Полное сопротивление нагрузки (f=l ГГц. Явых = = 20 Вт)*, Ом Обратный ток коллектор - эмиттер ( 63=10 Ом), мА Обратный ток эмиттера, мА Индуктивность эмиттерного вывода (прн симметричном заземлении у основания корпуса)*, нГн Иидуктивиость коллекторного вывода (у основания корпуса)*, иГи Индуктивность базового вывода (у основания корпуса)*, иГи
Предельмые эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор - эмнттер (Лбэ-Ю Ом)....... 55 В Импульсчо-j напряжение коллектор - эмиттер ........... 55 В Постоянное иапряжение эмиттер - база . 3,5 В Постоянный ток коллектора .... 2 А Импульсный ток коллектора (тя5 не, Q>10).......... 4 А Постоянный ток базы...... 1 А Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (Гк<25°С) .... 30 Вт Тепловое сопротивление переход - корпус 4,5°С/Вт KT9I0A Температура окружающей среды: 2Т916А ....... КТ916А от -60 °С до Гк=125С от -40°С до Г = 85 С При 7к>25 С Рк, СР т.х [Вт] = (Г - Г )/4,5. 16 П в
6 Ре,
о Z 4 6 Рд,Вт
frp. ГГц 18 10 20 Щ В 12 J.O 0.8 0,6
О 1 Z 3 1н.Я
ZO lf,3,B 0 ZO 40 60 80 Ij,Mfl
ZO 30 KT918A, КТ918Б 1,25 0,75 0.5
30 , в Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 1-3 ГГц при напряжении питания 2Q В в герметизированной аппаратуре. Корпус металлокерамический с частичной герметизацией с ленточными выводами. Масса транзистора не более 0,15 г.
|