Главная >  Приборы мощных транзисторов 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 [ 142 ] 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184

Параметр

Буквенное обозначение

(а го

15 m

к

Постоянная времени цепн обратной связи на высокой частоте (/=30 МГц), не

Емкость коллекторного перехода, пФ

Емкость эмиттерного перехода*. пФ

Полное входное сопротивление (f = l ГГц, Ръа.х= = 20 Вт)*, Ом

Полное сопротивление нагрузки (f=l ГГц. Явых = = 20 Вт)*, Ом

Обратный ток коллектор - эмиттер ( 63=10 Ом), мА Обратный ток эмиттера, мА

Индуктивность эмиттерного вывода (прн симметричном заземлении у основания корпуса)*, нГн Иидуктивиость коллекторного вывода (у основания корпуса)*, иГи Индуктивность базового вывода (у основания корпуса)*, иГи

0, 1

(30)

2,2-f

+ 1П

2-f-/6

0,35

Предельмые эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмнттер (Лбэ-Ю Ом)....... 55 В

Импульсчо-j напряжение коллектор - эмиттер ........... 55 В

Постоянное иапряжение эмиттер - база . 3,5 В

Постоянный ток коллектора .... 2 А

Импульсный ток коллектора (тя5 не,

Q>10).......... 4 А

Постоянный ток базы...... 1 А

Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (Гк<25°С) .... 30 Вт

Тепловое сопротивление переход - корпус 4,5°С/Вт



KT9I0A

Температура окружающей среды: 2Т916А .......

КТ916А

от -60 °С до Гк=125С от -40°С до Г = 85 С

При 7к>25 С Рк, СР т.х [Вт] = (Г - Г )/4,5.

16 П в

гтз1бв.

\ 1

--26 в

/ = ПГи,

6 Ре,

2Т9)6Я, КТВ1ВЯ

и 28В

о Z 4 6 Рд,Вт

2Т91ВД, К Т31ВЯ

f - ГГц

PlX-BBT

frp. ГГц 18

10 20 Щ В

12 J.O

0.8 0,6

2 Т91БЯ, ЯТ91БЯ

>

и з = we \

/ = ЮОМГц \

О 1 Z 3 1н.Я



<T9ie/r

JЮОМГц

-ft-

2 T 316/1,

KTsie/f

= !0l

= ЗОМГц

ZO lf,3,B

0 ZO 40 60 80

Ij,Mfl

1ВЯ,

ЗМГц

ZO 30

KT918A, КТ918Б

1,25

0,75 0.5

2 ТЭ1БЯ, KT3IS/1

r - IbUC

30 , в

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 1-3 ГГц при напряжении питания 2Q В в герметизированной аппаратуре.

Корпус металлокерамический с частичной герметизацией с ленточными выводами. Масса транзистора не более 0,15 г.


>1



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 [ 142 ] 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184