Главная >  Приборы мощных транзисторов 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 [ 143 ] 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184

Параметр

Буквеииое обозиаче-

выходиая мощность (/=3 ГГц), КТ918Б

Коэффициент усиления по мощ-

ТтЭ.вдЖОда ВТ)

КТ918Б (Рвых=0,5 Вт) Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ. ГГц-КТ918А КТ918Б

Постоянная времени цепи обратной связи иа высокой частоте (f=lOO МГц), ис-.

КТ918А

КТ918Б

Емкость коллекторного перехода (f = 10 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (f=IO МГц), пФ Обратный ток коллектора, мА

Обратный ток эмиттера, мА

гр

КБО ЭБО

Значение

0.8 1.0

0,4 О,5 3,7

Режим измерения

0,25 0,5

15 4

4,2 15 2

(10)

<

0.03

Предельные эксплуатацнонные данные

Постоянное напряжение коллектор - база Постоянное напряжение эмиттер - база Постоянный ток коллектора . . . . Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме Гк<25°С)) Тепловое сопротивление переход - корпус Температура перехода Температура корпуса Температура окружающей среды

30 В

2,5 В 0.25 А 2,5 Вт

50 С/Вт 150 °С 85 °С от -45 °С до Г = 85С

При Г >25°С Рк,срта1 [Вт] = (150-Г )/50.

Монтаж транзистора в микросхему осуществляется припайкой корпуса транзистора к теплоотводящей поверхности. Максимальна Утимая температура припоя при монтаже в микросхему ие более ОС Время пайки не более 3 с.

ofi °°вод, иа который монтируется транзистор, должен быть лужен оловом или серебром толщиной 10 мкм. Основание корпуса Ред пайкой необходимо обезжиривать этиловым спиртом с помо- *ью ватного тампона.



в качестве припоя можно использовать сплавы с температурой плавления менее 150°С. Например, индий - серебро (3%) или ин дий -олово (48%)- Припой прокатывается толщиной 0,05-0,07 мм и нарезается на прямоугольники размером 2,6X4 мм, обезжиривается кипячением в четыреххлористом углероде. Место посадки транзи стора на теплоотводе смачивается спиртом, раствором каннфоли й на него приготовленный припой И транзистор. Применение других флюсов не допускается.

/1Т918/1

/ =ЗГГи.

Рвых, от 0.5

15 0,4

100 Рд,мвт

вих. От

НТО IB Я

J/f = ЮОмЛ . Рвх 125мВт

Н T9I8 В

ОкВ 208 1к IZOm/I f ЗГГц 1 1

>

30 25 20 15 10 5

100 гоо Pg, мат

15 0,4 10

5 0,3

кт318в

г 100 м я

Рд 125мВт

/ -зггц

20 15

10 12 14 16 18 Whs,в

IB 12 14 IS 18 Щд,В


75 /д-, м/1

918 Б УЩ

ят9п х-О.

25вт

/д. = 100 м я

/ -зггц

1 1-



1800

1600

IZOO lOOO

KT9Wfl

к TBI8 Б

-- WB

7 6 5

J Z 7

КГ31

Укв - OB

f = за МГц

к г 918 в

so 1з,мЯ

Пайка транзистора иа теплоотвод производится в печи с инертной атмосферой при температуре не более 200 °С с усилием прижима около 0,5 кГ. Пайка выводов эмиттера н коллектора производится с помощью микропаяльника мощностью не более 15 Вт на расстоянии 3 мм от корпуса. Время пайкн порядка 3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии менее 3 мм от корпуса, если при этом температура корпуса ие превысит 140°С.

Допускается монтаж путем прижима транзистора к теплоотводящей поверхности. Прижнмиое усилие должно быть до 2 кг. Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть ие хуже 10. Изгиб выводов допускается на расстоянии ие более 3 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм. При изгибе должна быть обеспечена иеподвнжиость участка вывода между местом изгиба н корпусом прибора.

2Т919А-2Т919В, КТ919А-КТ919Г

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,7-2,4 ГГц при напряжении питания 2й В.

Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Транзисторы КТ919А, КТ919Б, КТ919В имеют дополнительную пластмассовую оболочку. Масса транзистора не более 2,2 г.


0.15



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 [ 143 ] 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184