Главная
>
Приборы мощных транзисторов Параметр Буквеииое обозиаче- выходиая мощность (/=3 ГГц), КТ918Б Коэффициент усиления по мощ- ТтЭ.вдЖОда ВТ) КТ918Б (Рвых=0,5 Вт) Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ. ГГц-КТ918А КТ918Б Постоянная времени цепи обратной связи иа высокой частоте (f=lOO МГц), ис-. КТ918А КТ918Б Емкость коллекторного перехода (f = 10 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (f=IO МГц), пФ Обратный ток коллектора, мА Обратный ток эмиттера, мА гр КБО ЭБО Значение 0.8 1.0 0,4 О,5 3,7 Режим измерения 0,25 0,5 15 4 4,2 15 2 (10) < 0.03 Предельные эксплуатацнонные данные Постоянное напряжение коллектор - база Постоянное напряжение эмиттер - база Постоянный ток коллектора . . . . Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме Гк<25°С)) Тепловое сопротивление переход - корпус Температура перехода Температура корпуса Температура окружающей среды 30 В 2,5 В 0.25 А 2,5 Вт 50 С/Вт 150 °С 85 °С от -45 °С до Г = 85С При Г >25°С Рк,срта1 [Вт] = (150-Г )/50. Монтаж транзистора в микросхему осуществляется припайкой корпуса транзистора к теплоотводящей поверхности. Максимальна Утимая температура припоя при монтаже в микросхему ие более ОС Время пайки не более 3 с. ofi °°вод, иа который монтируется транзистор, должен быть лужен оловом или серебром толщиной 10 мкм. Основание корпуса Ред пайкой необходимо обезжиривать этиловым спиртом с помо- *ью ватного тампона. в качестве припоя можно использовать сплавы с температурой плавления менее 150°С. Например, индий - серебро (3%) или ин дий -олово (48%)- Припой прокатывается толщиной 0,05-0,07 мм и нарезается на прямоугольники размером 2,6X4 мм, обезжиривается кипячением в четыреххлористом углероде. Место посадки транзи стора на теплоотводе смачивается спиртом, раствором каннфоли й на него приготовленный припой И транзистор. Применение других флюсов не допускается.
Рвых, от 0.5 15 0,4 100 Рд,мвт вих. От
30 25 20 15 10 5 100 гоо Pg, мат 15 0,4 10 5 0,3
20 15 10 12 14 16 18 Whs,в IB 12 14 IS 18 Щд,В 75 /д-, м/1
1800 1600 IZOO lOOO
7 6 5 J Z 7
so 1з,мЯ Пайка транзистора иа теплоотвод производится в печи с инертной атмосферой при температуре не более 200 °С с усилием прижима около 0,5 кГ. Пайка выводов эмиттера н коллектора производится с помощью микропаяльника мощностью не более 15 Вт на расстоянии 3 мм от корпуса. Время пайкн порядка 3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии менее 3 мм от корпуса, если при этом температура корпуса ие превысит 140°С. Допускается монтаж путем прижима транзистора к теплоотводящей поверхности. Прижнмиое усилие должно быть до 2 кг. Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть ие хуже 10. Изгиб выводов допускается на расстоянии ие более 3 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм. При изгибе должна быть обеспечена иеподвнжиость участка вывода между местом изгиба н корпусом прибора. 2Т919А-2Т919В, КТ919А-КТ919Г Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,7-2,4 ГГц при напряжении питания 2й В. Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Транзисторы КТ919А, КТ919Б, КТ919В имеют дополнительную пластмассовую оболочку. Масса транзистора не более 2,2 г.
|