Главная
>
Приборы мощных транзисторов
30 80 70 ВО 50 40 7,2 1,0 0,8 0,0 0,4 О О,! 0.2 0,3 0,4 Р(х,8т 30 0,2
0,1 0,2 Pg,BT 70 ВО 50 40 30 го 10 15 20 ид,В
40 30 20 10 О 70 75 20 1Г,(В Рвьт.Вг 7
1 1,2 1,4 1,6 1,8 f.rrn 70 SO 50 40 30 20 Рвьх,-в
1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 /.ГГц 2,0 IS
2,8 2.0
0 0,4 0,8 7,Z 1,6 1 ,Я 0 0,Z 0,4 0,B 0,8 /,/?
0,1 0,2 I ,i4 0,1 0,2 I,/!
10 20 Щв,В 12 3 УзБ, 2Т925А-2Т925В, КТ925А-КТ925Г Транзисторы кремниевые эпнтакснально-планариые п-р-п генера-опные. Предназначены для применения в усилителях мощности, Умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200-400 МГц при напряжении питания 12,6 В. Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и моктаж-iiHM винтом. Масса транзистора ие более 4,5 г. il II Электрические параметры Параметр Буквенное обозначение Значение Режим измерения Выходная мощность (f = -320 МГц. ГкЬЗ °C). Вт; 2T925A. KT925A КТ925Б 2Т925Б КТ925Г 2T925B, KT925B Коэффициент усиления по мощности (/ = 320 МГц); 2Т923А, КТ925А (Pi,bix=2 Вт) КТ925Б (Рвых = 5 Вт) 2Т925Б (Явых = 7 Вт) 2T925B, КТ925В (Рвых=20 Вт) КТ925Г (Рвых=15 Вт) коэффициент полезного действия коллектора (/=320 МГц), 2Т925А, 2Т925Б 2Т925В KT925A КТ925Г татический коэффициент пере-ЗТеоЛ ОЭ : П9Й 2Т925В, КТ926В
12,6 12,6 12.6
|