|
| |
|
Главная
>
Приборы мощных транзисторов Параметр Обратный ток эмиттера, мА: Г==25 °С 2T930A, КТ930А 2Т930Б, КТ930Б 7- = 85 °С КТ930А КТ930Б Г=125 °С 2Т930А 2Т930Б Индуктивность внутреннего LC-звеиа, нГн 2T930A, КТ930А 2Т930Б, КТ930Б Емкость внутреннего LC-звена: 2T930A, КТ930А 2Т930Б, КТ930Б Индуктивность эмиттерного вывода (/=1 мм)*, нГн 2T930A, KT930A 2Т930Б, КТ930Б Индуктивность коллекторного вывода (/=1 мм)* нГн Индуктивность базового вывода (/=1 мм)*, НГи: 2T930A. КТ930А 2Т930Б, КТ930Б Значение 400 600 Режим измерения < 0,45 0,92* 0,14 О, 26 450 650 0,35 О, 24 1.6 I ,57 1,42 10 20 20 40 20 40 500 700 
Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер ( ба<100 Ом)....... Постоянное иапряжение эмиттер - база Постоянный ток коллектора: 2Т930А, КТ930А....... 2Т930Б, КТ930Б...... 50 Б 4 в 6 А 10 А ,-r4 входная мощность. 2Т930А, КТЭЗОА . . . . . 2Т930Б, КТ930Б ...... Гпрлняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (Тк<40°С): 2Т930А, КТ930А....... 2Т930Б, КТ930Б....... Тепловое сопротивление переход - корпус: 2Т930А .......... КТЭЗОА ........ 2Т930Б .......... КТ930Б.......... Температура перехода ...... Температура корпуса: 2Т930А, 2Т930Б .... КТ930А, КТ930Б....... Температура окружающей среды: 2Т930А, 2Т930Б ... КТ930А, КТ930Б . . 7 Вт 18,5 Вт 75 Вт 120 Вт 1,6 °С/Вт 1,8 С/Вт 1,0°С/Вт 1,2 °С/Вт 160 °С 125 °С 85 С от -60 °С до Гк=125°С от -40 °С до Г = 85°С Прн Т >40°С Рк,срша1 [Вт] =(160-Т ) ?г и, к. Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть не менее 1,6 Неплоскостность контактной поверхности теплоотвода должна быть не более 0,04 мм. Тепловое сопротивление корпус - теплоотвод при нанесении теплопроводящей смазки типа КПТ-8 на поверхность теплоотвода транзистора ие более 0,3 °С/Вт. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от корпуса по методике, не приводящей к нарущенпю конструкции и герметичности транзистора. Пайку производить при температуре не выше 270 °С не более 3 с.
8С 60 40 20 О Р8ь .ВТ 100 80 60 40 20 О
W0 80 60 40 20 О SO 40 JO 20
120 100 80 ВО 40 20 О 100 80 60 40 za о
120 100 80 БО 40 НО О Рвх, Вт кр 35 
6 8 1,Я 4 в 12 IS 20 Щэ, В за го
0,2 0,4 0,е 0,8 Ij,/1 / = 30Гу1Га, ТЭЗОБ, ЯТ930Б 2 ТЭЗОЛ, К ТЗЗОЯ I I-L -L. в 12 IB I/B, В
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
