Главная
>
Приборы мощных транзисторов Из 5000 г500 гооо 1500 1000 500
10 го за и з,в 2Т934А-2Т934В, КТ934А-КТ934Д Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителял частоты и автогенераторах на частотах 100-400 МГц при напряжении питания 28 В. Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтажным винтом. Масса транзистора не более 4,5 г. 0.15 Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть не менее 2,5. Иеплоскостиость контактной поверхности теплоотвода не более 0,04 мм. Для уменьщения контактного теплового сопротив-16НИЯ между корпусом и теплоотводом следует применять теплоот-водящне смазки. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от кор-Уса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзистора. Пайку производить при температуре ие Параметр Буквеииое обозначе иие Значение КТ934Б (Рвь.1 = КТ934В (Рвы1 = Выходная мощность = 400 МГц, Гк<40°С), 2Т934А, КТ934А КТ934Г 2Т934Б. КТ934Б КТ934Д 2Т934В, КТ934В Коэффициент усиления мощности (f = 400 МГц): 2Т934А, КТ934А (Рвы1= = 3 Вт) 2Т934Б. = 10 Вт) 2Т934В, = 25 Вт) КТ934Г (Рвы1=10 Вт) КТ934Д (Рвьг1 = 20 Вт) Коэффицнент полезного действия коллектора (f= = 400 МГц). % Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ*: 2Т934А. КТ934А 2Т934Б, КТ934Б 2Т934В, КТ934В Напряжение насыщения коллектор - эмиттер*, В: 2Т934А 2Т934Б 2Т934В Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (f=100 МГц); 2Т934А, КТ934А 2Т934Б, КТ934Б 2Т934В, КТ934В КТ934Г КТ934Д Критический ток коллектора (f=100 МГц), А: 2Т934А, КТ934А 2Т934Б, КТ934Б 2Т934В, КТ934В КТ934Г КТ934Д Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (f = 5 МГц), пс: 2Т934А, КТ934А 2Т934Б, КТ934Б 2Т934В, КТ934В КТ934Г КТ934Д КЭ нас 3 10 12 20 25 3,3 2,4 50 0,15 0,08 5 5 5 4,5 4,5 О, 23 1,0 2,0 0,9 1 ,8 Режим измерения 9 5,5* 4* 50 50 50 0,2 О, 16 0,1 2 8.5 9* 9* 0,32* 1,5* 3,2 1 ,4* 2,5 5* 5* 5* 5* 5* I 5* 150 1 50 I 50 0,35 14* 14* 14 0,6* 2,0* 4,0 20 20 25 25 10 10 1 О 10 10 Око]гчыиие Параметр Буквенное обозна-чепне Значение Режим измерения IS аа
Fmkocti. коллекторного не-рехода .tf=5 МГц), пФ: 2Т934А. КТ934А 2Т934Б. КТ934Б, КТ934Г 2Т934В. КТ934В, КТ934Д Емкость эмиттерного перехода (/ = 5 МГн). пФ: 2T934A. КТ934А 2Т934Б. КТ934Б, КТ934Г 2Т934В. КТ934В. КТ934Д Обратный ток коллектор - эмнттер ( r,-j=:o Ом). мА: Г-25 °С 2Т934А КТ934А 2Т934Б КТ934Б, КТ934Г 2Т934В КТ934В, КТ934Д Г = 85 С КТ934А КТ934Б. КТ934Г КТ934В. КТ934Д 7=125-0 2Т934А 2Т934Б 2Т934В ofipatfie.ffi ток эмиттера. мА: 7-25 °С 2T934A 2Т934В КТ934А. КТ934Б. КТ934Г КТ934В, КТ934Д 7=85С КТ934А. КТ934Б. КТ934Г КТ934В. КТ934Д 7= 125 °С 2T934A 2Т934В Индуктивность эмиттерно-И1 вывода*. иГн: 2Т934А. КТ934А 2Т934Б. КТ934Б. КТ934Г 2Т934В, КТ934В. КТ934Д Индуктивность коллекторного в1,1вода*. нГн Индуктивность базового вы- Да*. нГи: 2Т931А. КТ934А 2Т934Б. КТ934Б, КТ934Г 2Т934В. КТ934В. КТ934Д дикость эмиттер - корпус*. Кнф коллектор - кор-Емкость база корпус*. пФ Ь>БО -G.k 5 7* IB 15* 70* 120* 30* I 00* 200* 0,2* 0.5* 2.5* 0.2 I .3 I . 2 1 . О 2.5 3. I 3, 1 2,8 I ,84 I .53 0,96 9 I 6 3 2 60 160 7 , 5 I О 1 5 20 30 I 5 30 60 10 30 40 7.5 8 7.5 8 (28)
|