Главная
>
Приборы мощных транзисторов Ие пекочендуетс напряжение питания 2Т937А-2, КТ937А-2 более В 11 2Т937Б-2, КТ937Б-2 более 15 В в диапазоне частот 0.9- 14 ГГн: для всех типов транзисторов более 18 В в диапазоне частот 142 5 ГГц. Статический режим допускается при кБО В и / <50 мЛ- Пайка выполов допускается иа расстоянпп более 3 мм от корпуса nil температуре пайки 260 °С и 1 мм от корпуса прн температуре пайки 125°С 1! времени пайки не более 3 с. 2Т938А-2, КТ938А-2 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах до 5 ГГц прн напряжении питания до 20 В в герметизированной аппаратуре. Корпус на мсталлокерамическом держателе с гибкими полосковыми пыво.чамн. Масса транзистора не более 0,15 г.
Электрические [вараметры Параметр Значение Режим измерения < выходная мощности {/-5 ГГц). Вт Коэффициент усиления ио мощности (/ = 5 ГГц. / ui=l ВТ) Ффнцнент нолезиого дсйст-коллектора (/ = 5 ГГц, = 1 Вт). \ раничиая частота коэффицисн-Р, ерсдачн тока, МГц paTJ иремсни цепи об-сг ° < язи на высокой ча-Крит 5=00 МГц), ис ЁзоП) д ко.т..сктора
О, 1 5 Параметр >. я из X Зиачеине Окончание Режим 1ччсрения
Емкость коллекторного перехода (/=10 МГц). нФ Емкость эмиттерного перехода (f=IO МГц), нФ Обратный ток коллектора, мА: Г = 25 °С Г= 125 С Обратный ток эмиттера, мА; Г = 25 С Г=125 С Индуктивность эмиттерного вывода (внутренняя)*, иГн Индуктивность коллекторного вывода (внутренняя)*. иГн Индуктивность базового вывода (внутренняя)*, иГн Емкость эмиттер - база , иФ Емкость коллектор - база, пФ нФ Емкость коллектор - эмиттер*, IIФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор - база Постоянное напряжение эмиттер - база Постоянный ток коллектора Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (7 25°С) Постоянная рассеиваемая мощность (t/B <10 В. 7- <30°С)..... Тепловое сопротивление переход - корпус Тепловое сопротивление переход - корпус в динамическом режиме Температура перехода Температура корпуса: 2Т938А , , . , . КТ938А-2....... Температура окружающей среды: 2Т938А-2........ КТ938А-2 28 В 2,5 В 0,18 А 2,5 Вт 1,5 Вт 80 С/Вт 50 С/Вт 150 С 125-С 85 °С от -60 °С до Г =125°С от -45 °С до Т = 85 °С При Г >25°С Рк тат [Вт] = (150-Т );/?т Держатель транзистора припаивается к теплоотводу при Гк 200°С за время не более 3 с. Пайку выводор допускается производить иа расстоянии не менее у от держателя при 7 ;5150°С. Допускается пайка выводов на рассто тоярпт I мм прн условии жесткой фиксации основания вывода относительно держателя. /,2 10 ОВ 06 0,t (7/
/гр 3,6 ЮО 200 300 400 Pg,мВт ГГц 2.4 2,0
50 100 ISO 200 1 ,м/Т
Р8Ь,Х,ВТ 12 0.6 0,4 0.2 0,5 0,4 0,2 0. О
20 l/ffsB
|