|
| |
|
Главная
>
Приборы мощных транзисторов 2Т939А, КТ939А Транзисторы кремниевые эпнтаксналь.о-плаиариые п-р-п уснли тельные. Предназначены для работы в усилителях класса А с новы. шеннымн требованиями к нелинейным искажениям. Корпус металлокерамический с гибкими полосковыми выво.чами Масса транзистора пе более 2 г.  /5,7 a,ts Электрические параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ tf = 300 МГц). ГГц Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Неравномерность коэффи-iLHetiTa передачи тока б режиме малого сигнала Постоянная времени цени обратной связи на высокой частоте (f=30 МГц), пс Емкость коллекторного перехода (f=10 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (f=IO МГц), пФ Граничное напряжение, В Обратный ток коллектора, Г = -60 +25 °С Г =125 °С -Обратный ток эмиттера, мА-. Г = -60 -Ь-Ь25°С Гк=125 °С 21Э 21Э max hi 1 Э min к КЭО гр КБО
200 50 200 50 40-400 (50) (30) (Г,. = -60- f25C) Температура перехода Температура окружающей среды /кэКтак, КБ п;ах 11 При Г ОТ +25 °С ДО -60 °С Снижается линейно до 25 В. 2 Рк max при Гк>25°С снижается линейно на 0,032 Вт/°С. Z13 /ВО 160 ко то во во
О 100 гоо 300 1з,м/ч 5.h 5.2 5.0
О 10 20 30 Ij,Mfl
 5 10 15 и... В 30 в 3,5 В 400 мА 4 Вт 150 °С от -60 °С до 7к=125С Постоянное напряжение коллектор - эмиттер {о. Ю Ом, Г =25-f-125 С) . . Постоянное напряжение коллектор - база \V = 25-125°C) . . . . . Постоянное напряжение эмиттер - база Постоянный ток коллектора .... Постоянная расеиваемая мощность коллектора Сз,п<Р до 20 15 10 5
2 J 
BOO 500 400 300 ZOO 100 о 100 zoo 300 Iff, Mfl
* 5 1Z и- . Допускается изгиб выводов на расстоянии не менее 3 мм от корпуса. Допускается соединение выводов любым видом пайки (кроме ультразвуковой и электрической сварки) при условии, что за время пайки температура в любой точке корпуса, включая точки контакта вывода с корпусом, не должна превышать 150°С. Пайка выводов допускается на любом расстоянии от корпуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзистора. При проектировании устройств должны быть приняты меры, исключающие возникновение паразитной генерации. Допустимый статический потенциал 1000 В. Прн работе транзистора на частотах ниже 500 МГц рекомендуется контролировать максимальное напряжение на коллекторе в процессе отработки и наладкн устройств. Осевое усилие прижима транзистора к теплоотводу должно лежать в пределах 0,04-0,045 кгс-м. Неплоскостность контактной поверхности теплоотвода должна быть не более 0,04 мм. Разрешается обрезать выводы на расстоянии не менее 3 мм от корпуса. Оба электрических вывода должны быть симметрично соединены в схеме.
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
