Главная >  Приборы мощных транзисторов 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 [ 156 ] 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184

о и - SB

KTShlB

roe

f = JOO МГЦ

гк,ПС

50 40 50 20 10

2 Т942Я, 2 73426, 2 Т342В

- lOr

5 10 15 20 irg,B

С 2,5nP

27942

2 Т342/г, ~ 2r342S,

У зомгц

110 100 30

70 60 50

2тэ4гя,

2 Т942Б, КТЗ 42 В

f = 10 МГц

О 0,5 1,0 1,5 2,0 Щд,




Допускается работа транзистора в импульсных режимах класса , при т,1 = 10 мкс и в непрерывных режимах при U В и

1<4,9 Вт (Г 25°С)

Пайка выводов допускается на расстоянии более 3 мм от корпу-при температуре пайки 260°С и 1 мм от корпуса при температуре пайки не более 125°С прн времени пайки не более 3 с.

2Т946А, КТ946А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,4-1,5 ГГц при напряжении питания 28 В.

Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Масса транзистора не более 2 г.

1 1-

2ог 6.05,2

Электрические параметры

Значение

Режим

Буквенное обозначение

измерения

Параметр

п S X X X S

п = н

<

Ь1ход ая мощность (f = У ГГц), Вт

°,*Ф ВДент усиления по

**иЦ ент полезного лей-Р, Мчектора (/=1 ГГц, -iidi.S Вт), %

27 4

30 7

40* 8*

28 28



Окопчаин

Значение

Режим из. ерення

Буквенное обозиаче-иие

о о з:

Параметр

са О с

ся га

Модуль коэффициента передачи тока иа высокой частоте (/ = 300 МГц)

1216]

2, 4

Критический ток коллектора (/ = 300 МГц). А

Модуль коэффициента обратной передачи напряжения на высокой частоте (/ = 100 МГц)

2.10-3*

4.Ю-З*

10-10-3

0, 1

Емкость коллекторного перехода (/=10 МГц), пФ

Емкость эмиттерного перехода (/ = 3 МГц), пФ

260*

280*

Полное входное сопротивление (/=1 ГГц, Pdui-SO Вт). Ом

0,45+/3,5

Полное сопротивлеинс нагрузки (/=1 ГГц. Рвых = = 30 Вт). Он

1 ,9-/7,1

Обратный ток коллектора, мА;

Г=25 -С

Г=125С

I 0*

50 I 00

Обратный ток эмиттера, мА;

ЭБО

(3,5)

Г = 25 °С Г=125 С

Индуктивность эмиттерного вывода (внутреняя)*, иГн

ИндукТгвность коллекторного вывода (внутренняя)*, нГн

Индуктивность базового вьь вода (внутренняя)*, иГн Емкость эмнттер - корпус*, пФ

Емкость коллектор - корпус*, пФ

Сэ.к Си. к

0,35

0,06 4,5 4

Предельные эксплуатацнонные данные

Постоянное напряжение коллектор - база: ,

Г >25°С......... 50 В

7- = -60°С ........ 45 В

Постояниое напряжение эмиттер - база . > 3,5 В

Постоянный ток коллектора .... 2,5 А



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 [ 156 ] 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184