Главная >  Приборы мощных транзисторов 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 [ 160 ] 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184

5н ачение

Режим изме

Буквенное

Параметр

обозначение

S x x x

uj о са о с

S x

Выходная мощность (/ =

12,6

= 400 МГц), Вт

Коэффициент усиления по

3,5

5, 5

12,6

мощности (f = 400 МГц,

Рвы1 = 40 Вт)

Коэффицнент полезного дей-

12,6

ствия (f = 400 МГц, Рвы1 =

= 40 Вт), %

Напряжение насыщения

КЭ нас

0. 05

0,08

0, 15

(0,1)

коллектор - эмнттер*, В

Модуль коэффициента пере-

121э

дачи тока на высокой часто-

те (f = 300 МГц)

Критический ток коллектора*. А

Постоянная времени цепн

12,5

обратной связи иа высокой

частоте (f = 5 МГц)*, пс

Емкость коллекторного пе-

7,5*

(12)

рехода (/ = 30 МГц), пФ

1200

Емкость эмиттерного перехо-

1200

да (f = 5 МГц)*, пФ

Обратный ток коллектор -

КЭ R

эмнттер (Й6э = 10 Ом), мА:

Г = 25С

1,8

Г= 125 ° 2Т960А

Обратный ток эмиттера, мА: Г = 25°С

0,7

Г=125°С 2Т960А

0,33

Индуктивность внутреннего

LC-звена*, нГн

Емкость внутреннего LC-

звена*, пФ

Индуктивность эмиттерного

0,38

вывода (7=1 мм)*, нГн

Индуктивность коллектор-

1 ,6

ного вывода ((=1 мм)*, иГн

0,49

Индуктивность базового вы-

вода ((= 1 мм)*, иГн

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Лбэ<10 Ом).......

Постоянное напряжение эмиттер -- база

Постоянный ток коллектора.....

СВЧ входная мощность.....

КСВН коллекторной цепи (Рвы140 Вт, Г <40°С):

в течение 3 с ........

в непрерывном режиме.....

Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (7к<40С) . . . . Тепловое сопротнвлеине переход - корпус

36 В 4 В 7 А

16 Вт

70 Вт ,75 °С/Вт



Температура перехода . . . Температура корпуса-

2Т960А .......

КТ960А .......

Температура окружающей среды:

2Т960А .......

2Т960Л

160 °С

125 °С 85 °С

от -60°С до

Г = 125 С от -40 °С до Т =85С

I Прн Т >40°С Рк.сртах [Вт] = (160-Г )/1,75

Шероховатость контактной поверхности теплоотводов должна быть не менее 2,5. Неплоскостность контактной поверхности теплоотвода должна быть не более 0,04 мм.

Тепловое сопрот/влеиие корпус - теплоотвод прн нанесении теплоотводящей смазки типа КПТ-8 на поверхность теплоотвода траизн-стора не более 0,3°С/Вт.


гтэвоА,

к ГЭВОА

<

f - JOOMTu,

и 3 41.68

Z

% Вт

гтэвоя,

кТ360Я у

= ЮОМГц

Pg, 41.1 ВТ

ЮО 80 ВО 40 20 О



птзвая

зоом we

IZ IB 1,Л

гтэбод, к т360я

пз 5 в

/ = 5МГц

0,2 0,4 0.6 08 I.fl

2 Т360Я,

нтзбоя

Т -- IBOC

Г = 25С

!В П 8 4

ТЗБО/

КТ360Я

f = 300МГц

Z 4 В 8 1Г в , пФ

200 160

80 40

гтз во я, я Т360Я

f = ЗОМГц

!0 20 1/ е,В

2 4 6 В и з,в


L/MM



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 [ 160 ] 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184