40 JO ZO

60 50 40 JO 20

Рвых, Br

Рвх-Вг

Z4 ZO

12 10 8 В

12 10

800 /. МГц

600 800 /.МГц

800 /.МГц

25 20 15 10

0.8 /,2 1,8 /у,/?

10 го 30 40 ибВ

8 и,в

8 Г2 16 l/ff B

2.5 2.0 15 10 0,5 О

3 2 1

8 11 16 Щу,В

f 8 12 16 U, В

Внутреннее согласующее i-C-звено оптимизировано для работы п диапазоне 600-1000 МГц.

Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 1 мм от корпуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзистора, при температуре не выше 250 С с теплоотводом между корпусом и местом пайки.

Чистота контактной поверхности теплоотвода должна быть не менее 1,5, а ее неплоскостность ие более 0,04 мм.

2Т963А-2, 2Т963Б-2

транзисторы кремниевые эпитаксиально-плаиариые п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 2-10 ГГц при напряжении питания 12-15 В в герметизированной аппаратуре.

Корпус иа металлокерамическом держателе с гибкими ленточными выводами. Обозначение типа приводится на держателе для 2Т963А-2 - буква А и белая точка, для 2Т963Б-2 - буква Б и зеленая точка. Масса транзистора не более 2 г.