При Т >25°С Рк, max [Вг] = (180 -Гк) ?т.

Допускается применение транзисторов в диапазоне частот 10 МГц- 2 ГГц при (/ цт<8 В.

Изгиб выводов допускается иа расстоянии не менее 2 мм от ,цер-жателя. Пайка выводов производится иа расстоянии 1 мм от держателя при температуре 260 °С в течение 3 с, на расстоянии 0,5 мм при температуре не выше 150°С.

Вт /lun.aS

а 0,1 0,2 0,3 0,t Р{.,мвт

Постоянное напряжение коллектор - база 18 В

Постоянное напряжение эмиттер - база . 1,5 В Постоянный ток коллектора:

2Т963А-2......... 0,21 А

2Т963Б-2......... 0,185 А

Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (Гк<25°С)

2Т963А-2......... 2,1 Вт

2Т963Б-2......... 1,55 Вт

Постоянная рассеиваемая мощность

(C/g <8 В, r <25°C)i..... 1,1 Вт

Тепловое сопротивление переход - корпус 140°С/Вт Тепловое сопротивление переход - корпус для динамического режима:

-2Т963А-2......... 74 °С/Вт

2Т963Б-2 ......... 100°С/Вт

Температура перехода...... 180°С

Температура корпуса ...... 125°С

Температура окружающей среды ... от -60°С до

7- =125 С

as Г 8

05 0,4 0,3

0,1 О

35 30 25 20

15 10 5

П 50 100 150 200 Pii.,MBT

О 40 80 120 150 1,, пД О г 4 S 8 1/,8

Z 4 S 8 10 l/ffg.B