3.0 Z.5 2,0 1.3 .О 3,5

Щб.В

Cj.nP

5,5 5,0 k,5 I,. О 3.5 3.0

0.2 пФ

ZTS63

2Т970А, КТ970А

Транзисторы кремниевые

эпитаксиально-планарные п-р-п

генераторные. Предназначены

-J, для применения в усилителям

мощности, умножителях часто

ты и автогенераторах на част

тах 100-400 МГц при напр

женин 28 В. ,

Корпус металлокерамвч

ский с полосковыми выводам ;

Внутри корпуса имеется дву

звениая LC-цепь. Масса тра

знстора не более 9 г

Параметр

Буквеииое обозиаче-

Зиачеиие

ная мощность (f = ллициеит усиления по мощ-ости = =

- *H?JnneHT полезного дейст- оллектора (f = 400 МГц,

, = 100 ВТ), % лупь коэффициента передачи S иа высокой частоте (/ =

,300 МГц)

Коптичсскнй ток коллектора (fUsOO МГц). А

Постоянная времени цепи об- ой связи на высокой часто-

11 = 5 МГц), ПС Еикость коллекторного перехода (/=30 МГц). пФ Обратный ток коллектор-эмиттер (;;эб=10 Ом). мА: Г=25 С

Г = 85°С КТ907А Г=125°С 2Т970А Обратный ток эмиттера, мА: 7=25 С

Г = 85*С КТ970А

Г=125°С 2Т970А Индуктивность 1-го внутреннего /-С-звена*. иГн

Индуктивность 2-го внутреннего tC-звена*. иГн

Емкость 1-го внутреннего LC-звена*, пФ

Емкость 2-го внутреннего LC-звена*. пФ

Индуктивность эмиттерного вы-№да*. нГн

ИндуктивнЪсть коллекторного Вдода*, нГи

вых Ку р

Си кЭ R

100 4

50 2

7.3< 1 I 1<

Режим измерения

а: it:

24 I !

I 25

0.39

0.2-

0,87

30* 25

100 200 200

30 60 60

(10)

(28) 50

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмнт-

(Ro,lO Ом).......

Постоянное напряжение эмиттер - база Постоянный ток коллектора . . . . °Ч входная мощность ... VCBH коллекторной цепи {U24 В,

к50°С, [ = 400 МГц): п,х = 80 Вт (в течение 3 с) 11,1 = 70 Вт (длительно) РДНяя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (Г <40С) . . . . головое сопротивление переход - корпус

50 В 4 В 13 Л 25 Вт

170 Вт 0,7 С/Вт

Температура перехода...... 160 С

Температура корпуса-

2Т970А.......... 125°С

КТ970А......... 85 °С

Температура окружающей среды:

2Т970А......... от -60 °С до

Т =125 С

КТ970А . . .......от -40 С до

Г = 85

При Г >40°С Рктах [Вт] = (160-Гк)/0.7.

Изгиб выводов транзистора допускается иа расстоянии не нее 3 мм от корпуса. Пайка выводов допускается на расстоянии менее 1 мм от корпуса при температуре 260 °С в течение 4 с,

120 100 ВО ВО 40 20 О

100 16

80 14

60 12

40 W

20 8

во г

800 /,МГц