Главная
>
Приборы мощных транзисторов
О--5 О !5 20 Uns.B О 5 70 5 Z0 и3,1 1-шм 0,81пЪ- /2ТЗ-,0 к X / h 0,39пГп 0,гнГн \ Jc 620п<Р\0,12яГп фи-3 / 2T975A, 2Т975Б Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Предназначены для Рнменення в импульсиы1х усилителях мощности и генераторах на астотах 1,4-1,6 ГГц при напряжении питания до 45 В. Корпус металлокерамический полосковыми выводами. Внутри ( Рпуса имеются двухзвенные со-асующие LC-звенья на входе и 12.2 ZarS(t)3.5 бг транзистора не бо- Параметр Ьуквеииое обозначе ние Выходная мощность (f=I,5 ГГц, Tii = IO мкс. Q-IOO). Вт: 2Т975А 2Т975Б Выходная мощность (f=l,5 ГГц, Тн = Ю мкс, Q= 100), Вт: 2Т975А 2Т975Б Коэффициент усиления по мощности (/=1,5 ГГц), дБ: 2Т975А (Рвых, я = 75 Вт) 2Т975Б (Рвых, я = 45 Вт) Коэффициент усиления по мощности (/=1,5 ГГц), дБ: 2Т975А (Рвы1, и =200 Вт) 2Т975Б (Рвых, к = 100 Вт) Коэффициент полезного действия коллектора (/= 1,5 ГГц),%: 2Т975А (Рвы1 = 75 Вт) 2Т975Б (Рвы. = 45 Вт) Коэффициент полезного действия коллектора (/=1,5 ГГц), %: 2Т975А (Рвых, я = 200 Вт) 2Т975Б (Рвых, и=100 Вт) Обратный ток коллектора, мА: 7 = 25 °С 2Т975А 2Т975Б 7= 125 С 2Т975А 2Т975Б Обратный ток эмиттера, мА: Г = 25 С 2Т975А 2Т975Б 7=125 С 2Т975А 2Т975Б К, и Рк. и У р. и <Ур, и Значение 75 45 200 100 3.3 4 ,0 25 30 220* 130 7 7 36 36 240 140 8, 5* 8.5 38* 38* 50 25 100 50 50 25 100 50 Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор - база Постоянное напряжение эмиттер - база Импульсный ток коллектора (тнЮ мкс, QlOO, Т <85°С): 2Т975А 2Т975Б Импульсная рассеиваемая мощность в динамическом режиме (тяЮ мкс, QlOO, Г <85 °С)2:3 2Т975А .......... 2Т975Б .......... 50 В 3 В 15 А 7 А 500 Вт 200 Вт Температура перехода Температура корпуса Температура окружающей среды 180 °С 125° от -60 °С до Т =125 °С I Прн Т >85°С для 2Т975А /к max [А] = (180-Г )/6,4, 2Т975Б /к. max [AJ = (180-Гк)/13,6. * 2 При 7 >85°С Рк, нтах [Вт] = (180-Г )/?т.а. 3 Импульсное тепловое сопротивление переход - корпус при тя 10 мкс, QlOO рассчитывается в соответствии с соотнощени-ями: 2,4 / 0,86 \ +0,057 1--г7= t , для 2Т975/? [ C/BtI = для 2Т975Б [°С/Вт1=- Q 2,4 +0,114 1 - 0,86 \ Ут . Z0 J0 40 0 Psx.Br zo го р. ,вг р8их,Н.ВТ
|