ZT97Sfl

Ти = rOMHC

а = ЮО

у -- /,5ГГЦ

о 35

> 50вт

50Вт

Вх 30Вт

гТ975Б f = !,5 ГГц а = 100

го МНС JSS

50 Рв,8Т 10 15 го РвХВ

-SO -so a JO Б0 r,,°c nfsW

2W 200 160 120 80

JO 20 30 40 Vug,в

Допускается пайка выводов ва расстоянии 1 мм от корпуса при температуре пайки не более 150 °С.

2Т976А, КТ976А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера торные. Предиазиачены для применения в усилителях мощности умножителях частоты и автогенераторах на частотах до 1000 МГц g схеме ОБ при напряжении питания 28 Б.

Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и мон. тажиым винтом. Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено Масса транзистора не более 5 г.

Электрические параметры

Параметр

Выходная мощность (/ = = 1000 МГц, Гк<40°С), Вт Коэффициент усиления но мощности (f=1000 МГц, Рвы1 = -60 Вт)

Коэффициент полезного действия коллектора (f=1000 МГц, Рвых = 60 Вт), % Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/ = = 300 МГц)

Критический ток коллектора (f = 300 МГц), А

Постоянная времени цепн обратной связи на высокой частоте (/ = 5 МГц). ПС Емкость коллекторного перехода (/ = 30 МГц), иФ Полное входное сопротивление (Рвых = 50 Вт), Ом Полное сопротивление нагрузки (Рвых = 50 Вт)*, Ом Обратный ток коллектора, мА:

7- = 25 °С

Г=85°С КТ976А Г=125°С 2Т976А